lalt,2gt;olt;,3gt;和tiolt;,2gt;掺杂对znnblt;,2gt;olt;,6gt;微波介质陶瓷微观缺陷和介电常数的影响.pdfVIP

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2015-10-23 发布于贵州
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lalt,2gt;olt;,3gt;和tiolt;,2gt;掺杂对znnblt;,2gt;olt;,6gt;微波介质陶瓷微观缺陷和介电常数的影响.pdf

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的影响摘要体积密度、符合正电子湮没辐射的Doppler展宽谱和正电子寿命参数、相对微观缺陷和介电常数的影响；讨论了B位阳离子取代以及采用具有较高介电常数的材料进行复合这两种方法对Zn№206系列微波介质陶瓷的相对介电常数的影响；探索不同烧结工艺和组分配比所到来的Z心帕206系列微波介质陶瓷的微观结构变化与介电常数之间的相互关系。实验结果如下：平均寿命‰和缺陷浓度减小，致密度、商谱谱峰和介电常数8，升高。x=O．20 时，样品正电子平均寿命葡和缺陷浓度最小，致密度、商谱谱峰和介电常数岛最高。XO．30时，样品正电子平均寿命‰和缺陷浓度升高，致密度、商谱谱峰和介电常数岛降低。温时间的增加有助于样品的微观缺陷减少和样品的致密化，并取得了介电常数的增长，但总的增长幅度不大。 T 致密度降低。在x=O．60处，由于物相0【一Zn2Ti04的出现而形成异常点。命葡增大，致密度降低。当x=0．80时，1200℃烧结的陶瓷样品的微观缺陷最大，致密度最小。当x=0．90时，1100℃烧结的陶瓷样品的微观缺陷最大，致密度最小。在x=O．60处，由于物相仅一Zn2Ti04的出现而形成异常点。增加。因为烧结温度的不同，1100℃烧结的样品与1200℃烧结的样品的变化规律有所区别，但总的趋势相似。没微观缺陷准号：桂科回0832003)资助项目。 n ·THE·EFFECTSoF AND DOPANTTHE La203Ti02 ON MICRO．DEFECTSANDDIELECTRICCONSTANTOF MICROⅥ，AVEDIELECTRICCERAMICS ZnNb206 ABSTRACT Inthis e俄ctsof and and p印er，the La203Ti02 dielecmcconstantof microwavedielectricceramicshasbeen Z心晒206 studied the and bymeasurillgdens咄coincidenceDopplerbroadenmgspectraposi仃on dielectricconstant．Thee腩ctsformedielectricconstantof lifetime，relative microwaVedielectriccer锄icsofthe ofthe ofcationat Zmqb206 ways replace B—siteand withothermaterialswhichhaverelatiVe coInpound constant，and bet、№ent11edielectricconstantandthedifferenceof relationship micro—StmctllrewhiChcome舫mthedi脆rem andme sinteringprocess have and ratio beenstudied disCussed me composition