cucro薄膜的制备与性质研究.pdfVIP

摘要 宽禁带rl型与P型导电氧化物半导体即透明导电氧化物(TCO)已广泛应用 于太阳能电池的窗口层、平板显示器、低辐射窗、触摸屏、飞机和冰箱的除霜窗 口、气体传感器、抗静电涂料等领域。到目前为止，大多数的TCO材料均为11 型，而对P型的报道很少。1997年Kawazoe等第一次报道了关于铜铁矿结构的 CuAl02薄膜为p-TCO，由此掀起了对铜铁矿结构材料的关注，Fate等报道的 透过率只有40％左右。目前Mg掺杂的CuCr02薄膜的光电性能都得到了广泛的 ITO及p-CuCr02：Mg／n-ZnO等。 本文采用化学溶液法(CSD)成功制各了单相的CuCr02多晶块体，通过比较 实验的形貌结果可以看出CuCr02多晶块体具有明显的层状生长的特性。适量的 Mg掺杂有效的降低了多晶块体材料的结晶温度，结晶的温度得到改善，为制备 低温生长薄膜打下实验基础。在经过相同温度条件的处理后，通过比较样品的 形貌特征可以看出，随着Mg掺杂浓度的增加，块体材料的结晶度退化，颗粒变 得细小。并通过化学溶液法在单晶氧化铝衬底上成功制备了不同Mg掺杂浓度的 CuCrO：薄膜。通过改变温度参数制备了c轴高度择优取向的CuCr02薄膜，并分 析了Mg掺杂浓度对薄膜的结构、形貌及光电性能的影响。较高透明度(70％)的 Mg掺杂CuCr02薄膜显示为P型导电和半导体的电输运行为特征。本实验结果 中，当掺杂5％Mg时薄膜的电阻率最低达到7．34fl·cm，直接带隙大约为3．1leV。 并通过建立多晶薄膜的晶界散射的导电机制，解释了薄膜电阻率变化的特点。 l1)、 为制备性能优良的薄膜，本文还探索了用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(1 氧化铝、ITO／glass、石英及普通玻璃等不同衬底上生长CuCr02薄膜，并研究了 不同衬底所诱导的应变对CuCr02结构及光电性能的影响。当不同的衬底所产生 的应变增大时，薄膜晶粒大小有减小趋势。对于ITO／glass、氧化铝、石英及玻 所对应的直接带隙最大，并理论计算其晶界势垒约为39meV，这为制备 CuCrO：／ITO／glass等光电器件提供了可能。 l 关键词：铜铁矿、PLD、CuCr02、P型透明导电氧化物、化学溶液法 Ⅱ Abstract Thinfilmsof widebandoxidesemiconductorthatis transparent gap Transparent wide Solarcellwindow ConductingOxide(TCO)hasapplications layer,flatpanel the defrost radiation and window,touchscreen,aircraRrefrigerators display,low etc．So TCOmaterialsweren sensors，antistatic far,most type， window,gas coating that 1 eta1．first thatthedelafossite reports 997，Kawazoereported