co掺杂的no稀释磁性半导体的结构和磁性研究.pdfVIP

摘要 摘要 稀释磁性半导体材料是一种非常具有潜力的新型材料，因为它在同一材料中集合了光学、电学、 磁学等性质。过渡金属的掺杂随机占据在晶格中的某一替代位，将通过自由载流电荷的诱导相互耦 合。从而使得该类材料表现出一系列特殊的效应，对现代化的机械设备应用等非常有用。在众多的 稀磁半导体中，Co掺杂的ZnO材料可以作为一个典型的研究对象。这是由于不管是11型还是P型 导电，理论及实验上均报道过其高于300K的居里温度，此外Co离子掺杂进入ZnO主晶格占据阳 离子位可以达到很高的浓度。因而，本论文通过调查溶胶凝胶法获得的Co掺杂的ZnO样品的结构 和磁性，以期获得稀磁半导体材料的磁性来源。 对于各掺杂含量的样品，X射线衍射结果均表明其结构并未改变，仍然保持ZnO的六角纤锌矿 结构。且振动样品磁强计测试表明所有样品均具有室温铁磁性。为了得到确切的原子分布来分析宏 观磁性，X射线吸收被用来分别探测Co原子及Zn原子的K边。 x射线吸收数据通过一些步骤的处理，如背底扣除、数据归一化、傅里叶变换及反向傅里叶变 换，得到原子的局域结构。zn的近边及扩展边分析都表明zn原子周围的化学环境并未随着磁性离 子的掺入而改变，其配位环境与ZnO中一致。因此，观测到的室温铁磁性必定跟磁性离子Co的结 构有密切关系。 Co的K边x射线吸收数据采用相同的步骤进行分析，结果表明样品中存在一定的杂相C0304。 对实验数据进行拟合，当只考虑替代Zn离子位存在的Co离子时，拟合结果与实验数据相差很多， 这表明了样品中还有以其它局域结构形式存在的Co离子。通过尝试其他一系列可能存在的Co结构 进行拟合，得到了与实验结果相吻合的Co结构。在样品中，一共存在四种局域结构的Co离子，分 别为：替代zn位的Co离子，处于填隙位的Co离子，以F心模型存在的Co离子以及以杂质C0304 形式存在的Co离子。并且拟合结果给出了各掺杂样品中各种Co离子结构占总的Co含量的比例。 根据实验拟合结果，并结合磁性分析，可以得到合理的磁性解释：O空位形成的F心模型及处 于填隙位的Co离子均对室温铁磁性有贡献。但是比较发现，饱和磁化强度与该缺陷的含量并不是一 个线性关系，其中原因可能是两种类型的缺陷间存在一定的相互吸引作用。 热电势测量用来作为验证磁性解释的实验依据。样品呈现11型导电类型的实验结果支持了磁性 解释中两种磁性缺陷的存在性。但是观察热电势随温度的变化关系会发现载流子浓度在整个温度范 围并不是～恒定值。通过对比不同温度下的磁化情况，可能得出不同的温度区间有不同的磁化机制。 关键字：稀磁半导体X射线吸收F心模型填隙热电势 Abstract Abstract as for Diluted candidatesthe potential magneticsemiconductors(DMSs)alerecentlyinvestigated combinationof and inone transitionmetal doped optical，electricalmagneticpropertiessample．The frM) witheach are distributedonsubstitutionallattice otherviafree ions,which sites，couple rand