n型硅上丝印刷制备al-p+发射极的研究.pdfVIP

北京交通大学硕士论文 中文摘要 中文摘要 摘要：11型硅太阳电池以其优异的性能越来越受到研究人员和企业的青睐。pn结 的形成和特性的优化是提高最终11型硅太阳电池转化效率的关键。传统11型硅衬 底形成pn结的方法，如硼扩散、硼注入，存在着诸多问题。铝掺杂形成AI．P+发 射极制备11型太阳电池以其廉价、不改动传统生产线的构成就可以大幅提高电池 效率等优点正受到广泛关注。 本论文从利用快速热处理法烧结铝浆制备AI．P+发射极的工艺出发，重点探索 了不同实验参数对其所产生的影响，得出了最优化的实验条件，并基于这些研究 结果制备了AI．P+发射极11型背结太阳电池。主要研究工作如下： ‘ (1)研究了在11型硅衬底上丝网印刷铝浆并合金化形成A1．P+发射极的方法。 利用快速热处理方法制备了pn结均匀性良好的AI．P+发射极，研究了不同 预制铝层、气体环境、铝粉颗粒大小、铝浆厚度以及烧结温度等条件对结 ‘ 在空气环境中875℃时烧结15s制备pn结的性能较好。 (2)研究了对已合金形成AI．P+发射极样品进行表面处理的方法。发现先用HCI 和H202的混合溶液在沸腾时处理10分钟，取出放入丙酮溶液中浸泡并清 洗，再用33％的KOH溶液在80℃时腐蚀30s后用热HCI浸泡并清洗能获 得效果良好的基于11型硅衬底的AI．P+发射极。 上常用的技术，根据实验室工艺条件设计了基于AI—P+发射极的n+np+型太 阳电池实验方案，成功制备出n型A1．p+发射极背结太阳电池，并研究了 其光伏特性。 本文研究了形成AI．P+发射极的实验条件以及影响因素，开发了一整套基于n 型衬底的AI．P+发射极背结太阳电池工艺流程，并根据此工艺流程制备了太阳电池 原型器件，对工业化大规模生产由传统P型衬底向n型衬底转型具有一定的参考 价值。 关键词：背结；快速热处理；AI．P+发射极；丝网印刷；铝浆；11型太阳电池； 分类号：TM914．4 北京交通大学硕士论文 英文摘要 ABSTRACT siliconsolarcellhasattracted ABSTRACT：N-type extensiveattentionduetoits excellent PN formationandthe ofits performance．Theiunction improvement are tobe criticalfortheincreaseinthefinal conversion performance provedvery energy methodstoform on silicon efficiency．ConventionaIiunctionn．type substrate，such pn asbomdiffusionandbom too implantation，havemany onn siliconsolarcellsshowits withlOW aluminum-alloyedP+emitterstype a