pfcva法制备zno薄膜结构及应变的研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积法(PFCVAD)制备出了具有C轴择 优取向、高平整度的ZnO薄膜，研究了PFCVAD的工艺参数靶负压、衬底温 度、氧气压力、退火温度对ZnO薄膜的结构、表面形貌和C轴方向应变的影响。 主要研究工作和结论如下： 和平整的表面结构，随着靶负压的增加，粗糙度略有上升，C轴方向张应力减小。 发现靶负压在400V左右，Zn0薄膜c轴取向性最强。 2、当衬底温度在170℃～500℃范围内，靶负压为400V，氧气压力为4．0 ×10吒Pa时，ZnO薄膜均具有高的c轴取向性和平整的表面结构，随着衬底温度 的增加，粗糙度下降，C轴方向张应力减小。发现衬底温度在400。C左右时，Zn0 薄膜c轴取向性最强。 向性和平整的表面结构。随着氧气压力的增加，粗糙度下降，C轴方向张应力减 小。发现氧气压力在1．2×10‘2时，c轴取向性最强。 火温度的升高，所有薄膜样品c轴取向性增强，粗糙度增加。退火温度从480 ℃增加到600。C时，C轴方向的张应力转变成压应力。 关键词：磁过滤阴极脉冲真空弧沉积法；靶负压；Zn0；氧气压力 ABSTRACT ABSTRACT thinfilmswithsmoothsurfaceand c-axisorientationwere ZnO high prepared the filteredcathodicvacuumarc effectsof bypulsed depositionsystem．The of substrate and bias，substrate parametersnegative temperature，oxygenpressure inairwerestudied thesurface annealingtemperature respectively．Weinvestigated andthestrain c—axis．Theresultsofthisworkare morphology,structurealong summarizedasfollow： 1．ZnOthinfilmswere PFCVADunderdifferent of preparedby parameter substratebias(400V--800V)andfixed ofsubstrate negative parameter temperature X orientation 300(2and 4．0 10～Pa．AlltheZnOfilmshave oxygenpressure high and theincrementof substratebias，RMS c—axis smoothsurface．With negative along