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- 2015-10-24 发布于贵州
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有限厚势垒变纤锌矿al
有限厚势垒应变纤锌矿AlxGal.xN/GaN异质结中
电子迁移率及其压力效应
摘要
本文采用数值自洽计算波函数和求解力平衡方程相结合的方法,在极化光学
电子迁移率问题.考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结,计入自发极化和压
电极化产生的内建电场之作用,给出界面及半空间光学声子作用下电子迁移率随
A1组分,势垒厚度及温度变化的数值计算结果.
导作用,而当x0.18,来自沟道区的半空间声子散射则起主导作用.结果还表明:
电子迁移率随势垒厚度增加而增加,且逐步趋于一稳定值.应变和压力效应加剧
电子迁移率随温度增加而降低的趋势.
关键词:电子迁移率,
Electron instrainedwurtzite
mobility AIxGal.xN/GaN
withfinite-thick
barriersandits effect
pressure
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