有机双稳态忆器件电学特性研究.pdfVIP

摘要 摘要 有机双稳态器件因具有数据保存时间长、低功耗、低成本、工艺简单并可以 制备于柔性衬底上等种种优点，受到人们的广泛关注。大量采用不同材料和结构 的有机双稳态器件被纷纷研发出来。目前虽然有很多双稳态器件的报道，但是对 于双稳态器件中的基本物理机理还不是十分清楚。本论文主要是研究有机小分子 电双稳态器件的基本电学性质和内在机理。具体内容如下： 1、我们研究了器件的导电性对有机双稳态器件电学性质的影响。我们发现 利用导电性很好空穴传输材料Pentacene以及CuPc制作的单层有机双稳态器 件，在不同的偏压扫描下表现出不同的双稳态特性：正偏压下没有负微分电阻区 (NDR)，器件进入ON态后无法在高电压下擦除为OFF态：负偏压下有负微 分电阻区，器件进入ON态后可以转变变为OFF态。而进一步的实验表明这种 不同偏压下双稳态的不对称性与器件有机层的导电性之间有密切的联系。通过在 ITO，有机界面处，以及有机层内插入阻挡层或者是通过增加器件厚度的办法来降 低有机层中的空穴电流，我们发现正偏压扫描转变为与负偏压扫描相似的双稳态 特性。我们认为导电微通道能够比较好的解释上述现象。 2、我们继续研究了影响器件双稳态特性的其他因素，观察到了有机MIM结 构的记忆器件