溶胶—凝胶制备si基zno薄膜的微结构和光电性能研究.pdfVIP

溶胶．凝胶法制备Si基ZnO薄膜的微结构和光电性能研究 摘要 浆烧制电极，以达到良好的欧姆接触。探索Si片的清洗方法以及不同制备 工艺对ZnO薄膜成膜质量的影响；研究了ZnO薄膜的光电特性以及经不同 温度退火和分别对其用Na、K和Mg掺杂后薄膜微结构的变化。得到如下 实验结果： 均匀，薄膜生长质量较好。 (2)不同退火温度和时间对ZnO薄膜的C轴择优取向性和晶粒大小 有较大的影响：随着退火温度的升高，ZnO晶粒的C轴择优取向性增强， 晶粒尺寸增大。 的晶粒小于未掺杂的；随着掺Na浓度的增加，ZnO薄膜的C轴择优取向 性增强。正电子寿命谱和多普勒展宽谱的实验表明，掺Na的ZnO薄膜缺 陷的开空间比未掺杂的大。 时，出现了新相。掺K的ZnO薄膜的晶粒均小于未掺杂的；当K含量为 膜的晶粒尺寸较大。K含量为3．7at％的ZnO薄膜的晶粒C轴择优取向性最 谱和多普勒展宽测试表明，掺K的ZnO薄膜缺陷的开空间比未掺杂的大。 尺寸最大。掺Mg的ZnO薄膜的C轴择优取向性比未掺杂的差。正电子寿 命谱和多普勒展宽测试表明，掺Mg的ZnO薄膜缺陷的开空间比未掺杂的 大。 对高度比为0．934。 薄膜，产生了明显的光伏效应。在无光照，分别在相同光强的白炽灯和氦 性和光伏特性。