砷化镓光导关的物理机理.pdf

摘要 摘要 论文研究了砷化镓光导开关(PCSS)篚j物理机理，重点在于对高增益砷化镓光 导开关的物理机制作了创新性和探索性研究。高增益砷化镓光导开关的物理机理 对器件的性能设计和工程应用具有重大的现实意义。论文工作注重理论分析与实 验研究的联系以及承前启后的作用。在分析高增益砷化镓PCSS中的S．形电流．电 压(I．V)特征曲线、光致电离、高场畴和电流丝的关系、电流丝的特征、电流丝与 了“畴电子崩(DEA)”概念和“电离波(M过程，奠定了高增益砷化镓光导开关 的“流注模型的理论基础。畴电子崩和电离波过程描述了载流子的“局域高(电) 场碰撞电离雪崩生长机制，解释了高增益砷化镓光导开关中流注形成和传播、 以及“低场雪崩’’现象。对高增益砷化镓光导开关的物理机理初步建立了一个完 整、统一、自洽的理论框架。论文的主要内容为： 1．应用半导体物理结合气体放电等理论系统研究高增益砷化镓光导开关的工 作机理，提出了以畴电子崩为基础的流注模型。理论描述了多级流注形成和发展， 连通两个电极的电流丝放电，导致lock-on效应发生。各级流注发展由三个过程组 成：光致电离、与载流子注入相联系的畴电子崩(DEA)和载流子碰撞电离