硅纳米晶体铁电薄膜的椭偏光谱研究.pdfVIP

摘要 硅纳米晶体与铁电薄膜的椭偏光谱研究 信皇型堂皇王猩堂院 趟整堂王捏丕 垫鲤届研究生：睦二堕 指导教jJiTi．毖苤蚕副塾援 摘要 椭偏光谱测量是一种非接触、非破坏性的光学分析技术，由于其十分适合薄 膜测量，因此椭偏光谱测量是研究薄膜材料光学性质的重要手段。为此，本文选 性质的研究作为主要内容： 1．硅纳米晶体是尺度在数个纳米范围内的硅晶体颗粒，因其良好的光致发 光性质而被广泛地研究。采用SiO／Si02周期膜层结构并高温退火的方法制各多 个具有不同尺寸、镶嵌在Si02基质中的硅纳米晶体样品，并对样品进行光致发 均匀一致的尺寸，采用有效介质近似与Lorentz色散模型进行椭偏参数分析，获 得了不同尺寸的硅纳米晶体的复介电函数。与体材料硅相比，硅纳米晶体复介电 函数的幅值有较大的下降，并且尺寸越小介电函数的幅值下降越多，同时晶体的 尺寸使介电函数虚部的峰值位置发生移动，相同尺寸的硅纳米晶体其介电函数虚 部具有相同的峰值位置。 对采用电子束蒸发制备硅纳米晶体进行了探讨。采用原子力显微镜(Atomic force 分析