磁控溅射沉氮化铝薄膜及其光学性能的研究.pdfVIP

摘要 摘 要 11)基底和玻璃基底上沉积 本文采用直流反应磁控溅射法分别在P型Si(1 A1N薄膜。实验采用单参数变化法，分别改变工作气压、基底温度、溅射电流和 氮气含量四个工艺参数，研究其对所制备的AIN薄膜的结构和光学性能的影响， 为高性能AIN薄膜的制备提供依据。 本论文的研究结果表明： 1)在不同工作气压下沉积的薄膜主要呈现六方AIN(100)和AIN(110)取向， 且随工作气压增大，衍射峰强度逐渐减弱；AIN薄膜的沉积速率随工作气压的增 加先增大，后减小；在工作气压为0．6Pa时所沉积的AIN薄膜其禁带宽度为 5．93eV，接近于本征禁带宽度6．2eV。 2)基底温度对A1N薄膜的取向的影响较为显著。基底温度在400℃附近时， 10)；六个AIN AIN薄膜取向开始由六方的AIN(002)转变为六方AIN(100)、AIN(1 薄膜样品的AFM扫描图表明较高温度有利于形成比较均匀、平整的