纳米尺度金—半导体接触的电学特性研究.pdfVIP

摘要 纳米尺度金属一半导体接触的电学特性研究 系别： 专业：猛鐾查物堡 姓名： 指导老师：王亟熬援 墓登副熬援 摘 要 金属．半导体接触(欧姆接触和肖特基接触)是所有半导体屯子器件和光电子 器件的核心结构之一。随着半导体器件的尺寸越来越小，尤其是降低到纳米尺度， 需要对这些纳米器件的性能进行深入研究。而纳米尺寸的金属．半导体接触正是 纳米器件研究领域的方向之一。制备在半导体表面的金属纳米接触，因为与目前 的微电子技术有很好的兼容性而被广泛关注。同时，稀土金属砬化物具有较高的 电导率，在N型硅上有低的肖特基势垒，而在P型硅上有高的肖特基贽垒。因 此，这些硅化物纳米结构在未来纳米半导体器件如欧姆互连、光电器件等方而具 有很重要的应用价值。 在本论文的工作中，我们主要研究硅基硅化铒纳米金属一半导体接触的制备 和电学性质。主要工作和创新点如下： 1) 面上硅化铒纳米结构形貌的研究，通过调节覆盖度