纳米硅氮化薄膜微结构特性研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 本工作采用螺旋波增强等离子体化学气相沉积(HWP．CVD)技术制备了不同结构 的纳米硅／氮化硅镶嵌复合薄膜，并主要关注热退火处理对镶嵌于氮化硅中纳米硅微观结 构调整的研究。采用多种检测手段，对薄膜的表面形貌、键合结构、物相特征及能带特 性等进行表征与分析，并重点对薄膜的微观结构特性进行了详细探讨，寻求纳米硅薄膜 微结构调整与改善的条件。取得的主要结果如下： 通过合理控制HWP．CVD的实验参量，实现了镶嵌在氮化硅中纳米硅薄膜的低温沉 积。调整反应气体中的氢气稀释量，研究了氢气稀释对纳米硅／氮化硅薄膜微观结构和能 带特性的调整作用。结果显示，合适的氢稀释量有利于薄膜中缺陷态密度的减小，以及 薄膜有序度及纳米硅粒子晶化程度的提高。 陷态密度和结构无序增加；光学带隙减小；对薄膜的键合模式，尤其是与氢有关的键合 模式具有较大的影响。800℃常规热退火对薄膜的微观结构起到一定调整作用，但未出 现晶化迹象。 快速光热退火处理的纳米硅／氮化硅薄膜的微观结构特性研究表明，快速光热退火能 够在较低温度(700℃)下实现非晶纳米硅粒子的晶化；进一步的光致发光谱的研究结 果发现，通过控制光热退火的温度和