量子点接触量对量子点系统退相干的影响.pdfVIP

摘要 摘要 半导体量子点是最有希望实现量子计算机的固态器件之一，电子自旋又是很 有应用潜力的量子比特载体。本文主要研究了量子点材料中，量子点接触(QPC) 测量对系统相干性的影响。论文主要内容包括： 文章首先介绍了研究的背景和动机、并介绍了半导体量了点以及量子比特的 基本知识。 随后，我们介绍了GaAs半导体量子点的退相干实验，描述了量子点接触 (QPC)测量引起的理想双量子点模型中单电荷态的退相干机制，同时还介绍了 量子Zeno效应。 论文中，我们具体研究了QPC测量对单量子点自旋态相干性的影响。推导了 系统的有效哈密顿量以及主方程、计算了测量过程中电子自旋态的演化行为；随 后通过计算分析，我们发现OPt测量引起的退相干时间甲c约为lOOns以及高 频重复的QPC测量会减缓电子自旋态之间的演化、局域系统在其初态，表现出量 子Zeno效应。 同时，论文中我们还研究了测量过程中QPC对双量子点系统中两电子自旋态 退相干的影响。写出了系统的有效哈密顿量和主方程、计算了实际实验系统中两 电子自旋态的时间演化情况，发现QPC导致的退相干时间T2≈1脚，同样我们也 在双量子点系统中，发现到量子Zeno效应的现象，并提出了一些延长退相干时 间的方法。