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超薄Hf02栅MoS结构C．V和I．V模拟 摘要 由于Hf0：相对高的介电常数和热稳定性，它已经成为一种有吸引力的高K材料， 但是实验上证实Hf0：和衬底Si的界面有高界面态，可能影响器件的性能。同时HfO： 和衬底Si之间的介电常数的不匹配，导致在界面附近有镜像势的作用，对于超薄Hf0。 栅nMOS结构，强反型状态下电子状态时常是研究的重点，这时电子之间的交换关联 效应是较强的，为了较为准确的模拟nMOS的准静电容与外电压之间的关系，本文中 在包含交换关联效应和镜像力效应的有效质量理论下，考虑量子穿透效应和界面态电 荷效应，再通过泊松和薛定谔方程的自洽求解，根据模拟数据分析表明，采用的界面 态能级在禁带中的分布是合理的，同时在不同的界面态密度下HfO：栅nMOS的电容一 下的有效质量理论的基础上，提出了三带模型和单带模型去研究超薄氧化栅pMOS结 构的空穴直接隧穿电流，通过这两种模型的对比发现，有效的单带模型被采用去模拟 空穴隧穿电流是合理的。此外，金属电极上的电子的隧穿电流也被考虑，数值模拟发 现当空穴处于反型时，电子的隧穿电流是不可忽略，并且Hfon栅pMOS结构隧穿电流 也可能出现不同的机制。 关键词：HfQ栅泊松和薛定谔自洽界面态电荷效应空穴