自由基辅助控溅射制备zno:al透明导电薄膜的研究
摘要
摘要
太阳能电池、平板显示和触摸屏等技术的出现与快速发展对透明导电氧化
物薄膜材料提出了越来越多且越来越高的需求。ZnO:AI(简称AZO)透明导电薄
膜因其优异的光电学性能、丰富廉价的原材料来源以及环境友好等特点引起了业
界的广泛关注,被公认为是取代In203:Sn(简称frO)透明导电薄膜材料的最佳
候选者。随AZO薄膜在薄膜型太阳能电池上的实用化以及金属铟作为ITO薄膜
原材料的供需缺口的日益增大,AZO薄膜逐渐步入工业化生产的阶段。
本文使用AZO陶瓷靶、金属锌靶、铝靶及锌铝合金靶等靶材在日本Shincron
薄膜,研究薄膜的电学、光学、微结构、应力、禁带宽度、折射率等物理性能随
溅射参数的变化;针对AZO陶瓷靶溅射过程中靶材前方固定衬底上溅射沉积的
AZO薄膜中电阻率等多项物理性能出现空间分布不均匀的现象展开了系统的研
究,发现溅射过程中产生的高能氧负离子的轰击注入效应是使AZO薄膜物理性
能出现空间分布不均匀的根本原因;针对金属靶溅射过程的复杂性研究了金属锌
靶溅射制备锌氧化物薄膜过程中薄膜的微结构形貌及结晶性能随溅射功率以及
氧化区氧气流速的变化,并对比研究了溅射区内的高能氧负离子轰击造成的反
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