纳米柱4hsic雪崩光电二极管及pecvd法生长氢化非晶碳化硅的光电特性研究.pdf

摘 要 相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料具有较高击穿电场， 较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化学腐蚀 的特性。基于SiC材料这些优越的特性，SiC材料的生长及其高功率高温器件和 紫外微弱信号的探测器件已经日益成为半导体器件科学研究的热点。 本文的研究主要包括一种新型的纳米柱光控雪崩电压4H．SiC光电二极管 薄膜的光学特性研究。 1．4H．SiC NAPD的光电性质模拟研究 在雪崩击穿原理和传统雪崩光电二极管(APD)的工作原理基础上设计一种 体器件模拟软件程序的设置，设计4H．SiCNAPD的器件结构，模拟出其IV特性， 能带结构，电场分布以及光谱响应。并对其特有的光控雪崩电压特性以及能带分 布进行了理论分析。 实验结果表明器件的雪崩击穿电压Vbf随着纳米柱直径的增大而减小至一定 值。在倍增层耗尽穿通的前提下，Vb，随着倍增层掺杂浓度的减小而大幅度增加。 通过分析器件的能带分布和电场分布，得知此现象是由于纳米柱底端的电场分布 受纳米柱结构的影响而造成。此外由于NAPD的特殊结构，光照也会影响了纳米 柱底端电场分布，导致器件的Vbr分别随着光照的功率密度和波长变化