自组织insgaas量子点的mbe生长及应变的研究.pdfVIP

摘要 摘要 在GaAs衬底上自组织生长InAs量子点，因低廉的成本、巨大的发展空间 及应用前景，成为目前半导体材料研究的热点。为制备长波长量子点激光器有 源区材料lnAs／GaAs自组织量子点，本论文利用分子束外延方法自组织生长了 了量子点的形貌、发光特性与生长条件的关系。采用连续力学等方法研究了量 子点的应变分布规律，并研究了应变对能带、发光等性能的影响。 本论文的主要工作及研究成果如下： 一、采用分子束外延技术，通过控制生长条件(衬底温度，生长速率)及 量子点结构制备了多组高质量的GaAs基In．As自组织量子点材料。利用透射电 镜、光致发光谱等手段对多组量子点样品的形貌和发光特性进行了对比研究。 得出的结论为：多层结构的量子点的尺寸均匀性和光学性能优于单层结构， InAs／GaAs自组织量子点较好的生长工艺条件为衬底温度521℃，生长速率 0．1ML／s。 二、应用连续力学的方法对金字塔形自组织InAs／GaAs量子点的应变进行 了计算，采用图解法分析了应变分布，得到量子点应变分布的一般规律：对于 量子点的应变气，量子点内为大的压应变，点外为小的拉应变且随离点的距离 的增大而衰减，足够远处变为O。当量子点材料受到超过2尢球面角基质材料包 裹时，在这附