锂硅合金中离子迁移的第一性原理计算.pdfVIP

JJ舢J删舢舢删J删删J删洲删 Y2661076 摘 要 通过第一性原理的计算，本文研究了LilSil和Li2Sil两种锂硅合金中锂离子 迁移行为。对体相和表面相的空位锂迁移以及间隙位锂迁移都进行了研究。选取 迁移路径进行优化并对相应的迁移势垒进行计算。 结果表明：在体相中的空位锂离子迁移所需要克服的势垒是很低的，可是在 体相直接形成锂空位的形成能却很高。说明如果锂硅合金体相中有足够多的锂空 位，那么在其中的锂离子迁移是很快的。因为过高的空位形成能，所以在室温下 体相中直接形成空位的确很困难，但是可以通过在表面或界面上的锂脱出形成空 位后然后向体相迁移的方式来实现。在表面模型，因为锂离子的两种迁移模式所 克服的势垒都不是很高，所以锂离子可以通过空位锂迁移或者间隙位锂迁移的方 式进行脱出和移动。对于体相间隙位锂迁移，因其过高的迁移势垒导致这一迁移 模式在体相不易发生。在Li