钇掺杂钛酸钡高介电陶瓷的电性能研究.pdfVIP

摘 要 O．7％≤x≤O．9％范围内时，SEM分析表明陶瓷材料的晶粒呈明显双分布状态，小晶粒 填充于大晶粒之间，结构紧密，平均晶粒尺寸大；材料的介电常数 这与CCTO等高介电材料的弛豫特性相反，由此介电损耗谱计算出的弛豫活化能为负 值。 明显改善，材料的临界指数y趋近于2。XPS分析表明：在此范围内Ti4+和O二发生变价， barriers 化。半导化的晶粒和绝缘的品界会形成内部阻挡层电容器结构(即internal layers 具有Maxwell．Wagner界面弛豫特性的内部阻挡层电容器模型来解释。 弛豫铁电体；高介电常数；介电 关键词：Bao．8Sro．2Ti03；内部阻挡层电容器(IBLC) 损耗；阻抗谱 Abstract rel