集成电路铜连中硅碳氮介质阻挡层的制备与特性研究.pdfVIP

摘要 随着集成电路技术不断发展，互连RC(R为电阻，C是介质电 容)延迟却逐步增大。从130nm技术阶段开始，其已成为影响电路 速度的主要矛盾。为提高互连性能，采用新的低电阻率金属互连材料 (Cu)和低介电常数互连介质材料的铜互连技术应运而生。Si3N4常 被用作大马士革工艺中的电介质阻挡层，在其成型过程中也被用作刻 蚀停止层，同时也是其下方铜导线的覆盖层，器件的稳定性受其影响 较大，而Si3N4是一种高介电常数(k=7～8)介质，会增加互连系统的有 效介电常数，影响互连延迟的降低。于是新型三元材料SiCN(k=4～5) 作为铜互连大马士革工艺中的电介质扩散阻挡层的应用受到了人们 的广泛关注。 在综合分析比较了各类阻挡层制备方法、性能特征的基础上，本 11)衬底上制备出了SiCN薄膜和 文采用磁控溅射法在n型Si(1 方法对各样品的方块电阻、表面形貌、晶体结构、成分、化学键等特 性进行了表征分析。 实验结果表明，射频磁控反应溅射方法可以制各出表面光滑致密 的无定形非晶SiCN薄膜。对其化学成分分析表明所得薄膜为富Si 键，说明SiCN薄膜不是二元薄膜的简单结合，而是形成了复杂的无 规