高压处理对米sic微观结构影响及其光谱研究.pdfVIP

摘 要 六方碳化硅作为间接带隙半导体，只发出很弱的蓝色光。由于表面、界面 效应和量子的尺寸效应对纳米粒子的光学性质有显著的影响，所以人们才进入 低维度研究纳米SiC的发光性质。高压技术作为一种极端的手段，它可以改变 物质的物理性质，这为研究高压处理改变纳米SiC的特性提供了科学的依据。 本文研究的是在国产六面项压机上，对平均粒径为40nm，纯度为99．36％的碳 化硅进行了高温高压处理，用扫描电子显微镜、透射电镜、紫外．可见分光光度 计等测试手段，对高压处理前后的纳米碳化硅微观结构和光谱变化进行了测试 和分析，为研究光催化性提供了一定的理论依据。 首先考查样品经冷高压处理后，用透射电镜进行分析，结果表明：冷高压 处理后的低倍微观结构晶粒粒径的范围在20nm～65nm之间，这是部分晶粒长大 和碎化的结果，样品粒径大小没有明显的变化。这说明仅仅在冷高压下，纯SiC 是很难烧结致密化，要得到高致密的碳化硅陶瓷，需要更大的压力。从高倍显 微结构可以直观的看出，室温下，高压处理的晶粒的晶包被压缩，品格形变不 太明显。而加压加温的时候，存在明显的晶格形变，粒子的晶面间距，明显比 不加温的变化得速度快，这说明温度是影响SiC致密度的重要原因，有利于形 成高度致密性的陶瓷材料。