黄铜矿半导aⅰbⅲcⅳ2光电特性的理论研究.pdfVIP

摘要 21世纪，在资源有限和环境保护的条件下，人类面临着实现经济与社会的可持续发 展的现实问题，而能源问题尤为突出。太阳能是一种辐射能，因为最洁净、最可靠，同 时太阳还将照射地球长达五六十亿年之久，可谓取之不尽，因而具有无与伦比的吸引力。 我们的研究对象黄铜矿半导体A1BⅡ1cVl2，目前是应用最广泛的光电材料，由于其非线性 光学系数大、中远红外透过率高以及独特的光伏特性等，已经被广泛地应用于非线性器 件、探测器、太阳能电池等方面。除了纯净的三元半导体，它的四元合金体系最近也广 为人知，由于其拥有可调节带隙的特点，目前已经被应用于固态照明、高效串联太阳能 电池等方面。 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，结合能带结构理论和广义梯度近 CuGa(SexSl．。)2的晶格结构、电学和光学特性并做了系统的对比研究。研究结过显示： 的晶格常数、静态介电常数和折射率则在增大，同时介电常数和折射率的波峰发生有红 移现象。此外，由于相似的电子结构，三种纯净化合物的光学性质比较类似，表现在光 谱图上拥有大体一致的行为曲线，值得一提的是，和其他两种化合物不同，CuInTe2在O～ 2eV表现有明显的各向异性。四元合金的带隙随着组分X的增加明显减小并趋向于理 想的单节太阳能电池的带隙(1．4 e