3dlt#39;1gt;3dlt;#39;9gt;离子在斜方晶位中自旋哈密顿参量的理论研究.pdfVIP

pq川夫学iijif论文 3d1／3d9离子在斜方晶位中自旋 哈密顿参量的理论研究 凝聚态物理专业 研究生 周青 指导教师郑文琛教授 自旋哈密顿理论是研究掺过渡和稀土金属离子在晶体中顺磁性质，进而了 解其微观结构等的有力工具。实验上，自旋哈密顿参量可以通过电子顺磁共振 (EPR)谱测量，由此可得到顺磁离子自旋能级分裂的信息，这些信息又与顺 磁离子所处的局部环境有关，因此为了解晶体掺杂后的缺陷结构信息提供了一 种可行的方法；微观上自旋哈密顿参量由微观的自旋哈密顿理论进行计算和研 究，自旋哈密顿理论的一种重要方法就是微扰方法。 磁共振(EPR)谱的研究工作开展的还不够深入，这主要表现在，大部分微扰 方法只考虑了中心离子旋一轨耦合系数对EPR(g因子和超精细结构常数A因 价性较强或配体的旋一轨祸合系数可与中心命属离子相比较时，我们还应考虑 配体旋一轨耦合系数对EPR参量的贡献，从而建立起自旋哈密顿理论的双旋一 轨耦合参量模型。 本文就采用了一种半经验的分子轨道方法，对3do(n弘、V4+等)离子在八面 导了建立在双旋一轨耦合参量模