bafx：ult;#39;2+gt;（x=cl，br）的光存储机理及一些应用问题的研究.pdfVIP

中文摘要 摘要：为了更深入地了解电子俘获光存储材料的光学性质，进一步提高它们 的光存储性能，我们在一些离子键晶体中研究了电子陷阱的形成和俘获机理，并 对如何改进该类材料的光存储性能以满足进一步实用化的要求进行了探讨。其中 针对过去对于这类材料的实用化研究报道中存在的两个亟待解决的问题，即：如 何进一步提高材料的空间分辨率以提高存储屏的清晰度，如何进一步使得材料的 激励波长红移以匹配常用的激光器(HeNe激光器甚至波长长于650nm的半导体激 光器)的读出波长，进行了探讨。 本文主要通过吸收光谱的方法，来考察铕掺杂碱土金属氟卤化物在光信息写 入和读出过程中电子可能发生转移存储的途径和释放过程，及对光激励发光(PSL) 有贡献的可能存在的空穴陷阱。通过对BaFCI：Eu2+在紫外线辐照前后的吸收光谱 的比较发现，在差吸收谱上出现了一系列的尖峰，恰好与Eu3+的吸收相吻合，这 表明，在光信息写入过程中，部分电子是通过导带转移进行的；BaFCI：Eu2+的PSL 衰减特性表明F(F-)心的电子是遂穿进行的；通过改变F／C1的比值，发现随C1。离子 浓度的降低，F(n和F。心(F(Cl。)心的聚集态)的吸收峰都向高能侧移动，而 F(C1’)心的吸收峰位置则基本不变，表明F(C1。)心