原创力文档- 10
- 0
- 约3.19万字
- 约 33页
- 2015-10-24 发布于贵州
- 举报
iro
摘 要
氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的II-VI族宽带隙半导体材料，室温禁带宽度为
3．37eV，激子束缚能高达60
meV，具有优良的物理和化学性质。ZnO目前广泛应用于
压电传感器、变阻器、气敏元件及光电产业中具有重要价值的透明导电膜。由于氧化锌
具有较高的激子束缚能(60meV)，保证了其在室温下较强的激子发光，因而被认为是制
作紫外半导体激光器的候选材料。自1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来，ZnO
研究已成为继GaN之后紫外发射材料研究的又一研究热点。而近年来ZnO薄膜作为ITO
薄膜的替代材料，成为透明导电薄膜的新宠，正引起人们日益广泛的关注。ZnO极有潜
力在未来的半导体领域中扮演重要角色。而在氧化锌器件的应用中，高质量的金属／ZnO
接触的制备是至关重要的问题，不管是欧姆接触还是肖特基接触都是ZnO器件应用发
展的前提和基础。然而目前，在金属／ZaO接触的研究中，充当欧姆或肖特基接触电极
角色的多为不具有透明性的金属材料，使得氧化锌材料在光电子器件中的应用受到一定
的限制。 ．
’
Ir02是一种既透明又导电的金属氧化
您可能关注的文档
- cl+chlt;,4>（cd<,4>）和cl+c<,2>h<,6>（c<,2>d<,6>）反应体系的立体动力学研究.pdf
- charm区强子衰变中的强子圈图效应.pdf
- cfl相对密星体性质及其演化的影响.pdf
- ch自由基子stark减速与静电场测量的理论研究.pdf
- cl与c&t;,3>h<,8>、c<,3>h<,6>d<,2>、c<,3>d<,6>h<,2>和c<,3>d<,8>反应体系的立体动力学对比研究.pdf
- cmos模集成温度传感器的设计.pdf
- co<,2>feo<,4>自形成磁性液体的基本物性及场致光透射变化研究.pdf
- cf<,4>射频等离子体硅橡胶表面疏水疏油改性研究.pdf
- coni&t;,x>-cu<,1-x>系统的化学吸附研究.pdf
- cofe&t;,2>o<,4>离子型磁性液体制备及其特性研究.pdf
- ising统零温动力学的monte carlo研究.pdf
- j-c模型种推广的场熵性质的研究.pdf
- jonscer幂律在固体材料电行为分析中的应用研究.pdf
- jψ→nnlt;'->π，pp<'->η，pp<'->η′衰变过程中核子极点贡献的研究.pdf
- jψ→p&t;'->pw过程中的末态相互作用研究.pdf
- iter软射线相机的研究.pdf
- jψ及η&t;,c>衰变到k<'+>k<'->k<'+>k<'->π<'+>π<'->和jψ衰变中赝标量介子混合的研究.pdf
- jψ→γη<'+>π<'->的分波分析.pdf
- jψ和η&t;,c>衰变到ppπ<'+>π<'->π<'+>π<'->的研究.pdf
- jψ→γρ,γωω的分波分析.pdf
文档评论（0）