rashb效应影响下量子点中极化子的性质.pdfVIP

摘 要 采用改进的线性组合算符及幺正变换方法研究了llashba效应影响下量子点中强 耦合极化子的性质．导出在电子．体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子 的基态分裂能、相互作用能和有效质量．半导体抛物量子点中强耦合极化子的振动频 率k、相互作用能H。和有效质量m。’不仅与LO声子的频率、电子．声子耦合强度a、 量子点的受限强度‰有关，而且相互作用能H-和有效质量m。‘还与P,舢hba自旋．轨 道耦合常数a。有关．对RbCI晶体量子点进行数值计算结果表明Rashba自旋．轨道相 互作用使极化子的有效质量、基态能分裂为上下两支：量子点振动频率随受限强度的 增加而增加；极化子的相互作用能随振动频率的增加先急剧增加，当达到极值后，随 受限强度的增加而急剧减少．声子对总能量贡献为负，所以极化子自旋分裂态比裸电 子更稳定． 采用改进的线性组合算符及幺正交换方法研究了Rashba效应影响下量子点中弱 耦合束缚极化子的性质．导出了Rashba效应影响下量子点中弱耦合束缚极化子的振 动频率、有效质量、基态分裂能和相互作用能．半导体抛物量子点中弱耦合束缚极化 子的振动频率k不仅与电子．声子耦合强度a、以及库仑势p有关，还与量子点的有效 受限长度lo有关．半导体抛物量子点中弱耦合束缚极化子的相互作用能H。不仅与LO 声子的振动频率，电子．声子耦合强度a，以及库仑束缚势捌，量子点的有效受限长 度l。有关，而且还与Rashba自旋．轨道耦合常数a。有关．半导体抛物量子点中弱耦合 束缚极化子的有效质量m．‘不仅与电子．声子耦合强度a有关两且与I屯sshba自旋一轨道 耦合常数a。有关．讨论了量子点的基态分裂能、相互作用能、有效受限长度随振动 频率变化曲线：对GaAs晶体量子点进行数值计算结果表明表明Rashba自旋一轨道相互 作用使极化子的基态能分裂为上下两支，束缚极化子的振动频率随有效受限长度的减 少而急剧增大，极化子的相互作用能随振动频率的增加先急剧增加，当达到极值后， 随受振动频率的增加而急剧减少．因为声子和库仑束缚势的存在使得粒子的总能量被 降低，从而束缚极化子的分裂态更稳定． 关键词：Rashba效应：半导体量子点；极化子；有效质量 The ofthePolaroninSemiconductorDotsinduced Properties Quantum InfluenceofRashba interaction by Spin-orbit Abstract in dots Inthis semiconductor paper,the口哪。eni嚣ofstrong--couplingpolaron quantum influenc强ofRashba arc the by spin-orbit(So)interaction bound in influence ofweak-coupling semiconductordots of properties polaron quantumby Rashba spin-orbit(So)interaction． the Therelationsof of interactionandthe strength confinementreo，thealergy massofthe