p型透明导cu-al-o薄膜的制备与光电性能研究.pdfVIP

摘要 价带化学修饰(CMVB)理论，首次制备出的铜铁矿结构P型直接带 隙透明氧化物薄膜。它的成功开发为实现半导体全透明光电器件，如 透明二极管、透明晶体管提供了可能性，也推动了传统意义上透明导 己经成为当前透明导电薄膜领域的研究热点之一。 本文采用Cu靶和Al靶直流共溅射法制备出P型透明导电 四探针测量仪、紫外．可见分光光度计等测试手段对沉积的薄膜进行 了表征和分析。研究了退火温度、氧氩比和溅射功率对薄膜光电特性 的影响。 XRD分析表明，制备的Cu—A1．O薄膜为多晶结构，适当的退火 处理能使其结晶度提高。AFM表明，样品表面较平整，粗糙度较小， 且晶粒较致密。XPS分析表明：Cu元素主要是以+1价的形式存在； Al元素仅是以+3价的形式存在，与CAO中Cu，Ai价态吻合。 薄膜的电学性能分析结果表明，Cu—A1一O薄膜的电阻率受退火温 度、氧氩比和AI靶溅射功率的影响较大。随着退火温度和氧氩比的 升高，电阻率减小。随着舢靶溅射功率的增大，电阻率先减小后增 大。 ‘薄膜的光谱分析结果表明：薄膜样品的可见光透过率可达72％， 随着氧氩比和～靶溅射功率的增大，薄膜的透过率逐渐增大。计算 结果显示薄膜的光学带隙在3．0．3．8eV范围内变化。 根据对Cu—AI．O薄膜的组织结构和光电性质的研究，得出了双靶 直流共溅射法制备Cu—AI．O薄膜的最佳工艺条件为：氧氩比2：3，衬 W， 底温度300℃，工作压强3 W，Al靶：60 Pa，溅射功率Cu靶：20 退火温度1000℃。 关键词P型透明导电氧化物，Cu—AI．O薄膜，双靶直流共溅射法，光 学和电学特性 ABSTRACT Based the of“thechemicalmodulationofthe upontheory valence， thedelafossite and electrical structure，P—typedirectlyband—gap oxidethinfilmof was CuAl02designed conductivitytransparent by Kawazoeetc．in1997forthefirsttime．The of TCO discovery P—type of made thefabrication oxide devices possible transparentoptoelectronic suchas diodesandtransistorsan transparentP—njunction using combinationof TCO alsoled TCO appropriate p—andn-ty’pe films，which mat