siol;,2gt;凝胶稀土掺杂siolt;,2gt;发光材料的制备与性能研究.pdfVIP

摘 要 用溶胶．凝胶方法合成了Si02干凝胶发光材料和稀土Eu单掺杂以及Eu，Dv 共掺杂的Si02为基质主体的发光材料，研究了影响发光性质的各种因素及其发 光机理，旨在探寻制备Si02基质高效荧光材料的新途径。 以正硅酸Z,酯(TEOS)为硅源制备了Si02干凝胶发光材料。研究了加水量和 温度对Si02凝胶化时间的影响，结果表明：H20／TEOS=4时，凝胶化时间最短； 随着陈化温度的升高，凝胶化时间缩短。傅立时变换红外光谱(FTIIR)表明，sj02 千凝胶中含有Si—OH和Si．OR基团等结构缺陷，说明Si02干凝胶没有形成完整 的网络结构。 研究了Si02干凝胶的发光特性。它的发射光谱包括峰值位于325nm的紫外 过程中形成的氧空位缺陷、硅悬键和非桥氧中心等缺陷引起。随着温度的升高， Si02网络结构不断完善，产生的缺陷越来越少，发光强度降低。 研究了不同掺杂浓度和退火温度对Eu3+离子特征发射光强度的影响。结果表明： 经700C退火的样品Eu3+发光最强；Eu“的发光在掺杂浓度为O．1％。1．2％的范围 内没有出现浓度淬灭现象。经过850C退火的O．2％Eu：Si02。A1203的发射光谱 发射光谱。因为A13十离子能够增加Eu3+离子周围A104四面体中氧的电子给予能 力，对Eu3+离子具有还原作用，使部分Eu3+转变为Eu“。 在前驱物中引入硼酸，结果表明：硼酸的加入有助于提高Eu3+离子的发光强 度。在H3BOvTEOS=0．1加，8范围内，随着硼酸量的增加Eu“的红光发射增强。 Eu2+的宽带蓝光发射而Eu“的红光发射几乎消失。通过Eu，Dv共掺杂影响了 Eu2+和Eu3+之间的能量传递，因为D／+的引入降低了Eu2+～Eu3+的能量转移概率， 并且产生了Eu“一Dy3+的能量转移。 用浸渍法在普通钠钙玻璃表面制备了Eu：SiOz．A1203．B203红光发光薄膜和 出，薄膜表面没有裂纹，颗粒分布致密均匀，组成薄膜的颗粒粒径大约为 50-60nm。 研究了掺杂浓度、退火工艺和膜层层数对薄膜发光强度的影响。Eu3+离子 的617nm发光峰的发光强度随薄膜层数的变化先增加后减少，在9层时达到最 大值，说明薄膜的发光存在最佳厚度。相同层数薄膜的发光强度随着掺杂浓度的 增加而增加。Eu，Dy共掺的薄膜在8504C火后出现了428nm和468nm的蓝光 发射峰，由Eu2+的f-d跃迂引起。 关键词： 溶胶一凝胶法{光致发光；稀土掺杂；Si02；发光薄膜；能量传递 ABSTRACT Si02 luminescent earthionEu and xerogel material，rare dopedEu，Dyco—doped asthe films sol。gelSi02 matrixluminescentand were principal xerogel prepared Kindsof theluminescentofthematerialsandthe complications influencing properties mechanisms luminescenceofthematerialswerediscussedinorderto100kforanew to efficientluminescentmaterialwith asthematrix． pathprepare Si02 Usingtetraethylorthosilicate startingmaterial，Si02 Si(C2H50)4(TEOS)as luminescentmaterialwasfabricatedthe and xerogel