大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应.pdfVIP

第 27 卷 　第 1 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 1 2006 年 1 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J an . ,2006 大规模集成电路浮栅 ROM 器件总剂量辐射效应 1 ,2 , 1 2 2 2 2 2 何宝平 　周荷琴 　郭红霞 　周 　辉 　罗尹虹 　姚志斌 　张凤祁 ( 1 中国科学技术大学 , 合肥 　230026) (2 西北核技术研究所 , 西安 　7 10024) 摘要 : 提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法 :在监测器件和电路功能参数的同时 ,监测器件功耗电流 60 的变化情况 ,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系. 根据该方法利用 Co γ射线进行了浮栅 ROM 集 ( ) γ 成电路 A T29C256 总剂量辐照实验 ,研究了功耗电流和出错数量在不同 射线剂量率辐照下的总剂量效应 , 以及 参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系 ,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失 效时间. 关键词 : 大规模集成电路 ; 总剂量效应 ; 低剂量率 ; 失效时间 PACC : 6 180 E ; 7340Q 　　　EEACC : 2560R 中图分类号 : TN 386 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 0 10 12 105 辐射效应进行了研究. 1 　引言 2 　总剂量效应测试方法 目前我国航天器上已经大量使用大规模集成电 路 ,然而 ,空间辐射环境中的带电粒子和电子产生的 总剂量效应一个重要的敏感参数就是阈值 电 电离总剂量效应会导致大规模集成电路功能异常 , 压 ,对于门电路 、反相器等中小规模集成电路 ,主要 严重影响航天器的可靠性及在轨寿命. 近年来 ,大规 测试其阈值电压随辐照剂量的变化. 对于单个晶体 模集成电路的总剂量辐射效应一直是国外辐射效应 管 ,可以得到氧化物陷阱导致的阈值电压漂移量和 研究领域的热点[ 1 ,2 ] , 国内在小规模 电路的效应机 界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量. 然而 ,对于由 理 、实验测量以及模拟方法等方面取得了一定的成 成千上万只 nMO S 和 p MO S 晶体管组成的大规模 绩[3～6 ] . 我们以往的总剂量效应研究都是针对中小 集成电路 ,仅有几十个管脚 , 目前尚无有效的方法来 ( 测量某个晶体管的阈值电压. 因此 ,适用于小规模集 规模集成电路 ,特别是门电路 ,大规模集成电路 存 ) 成电路的总剂量效应测试方法无法应用于大规模集 储器和 CPU 等 的总剂量效应如何测试 ,抗总剂量 水平如何评价 ,这些都是需要解决的问题. 国外尚无 成电路. 如果许多 nMO S 晶体管的准静态 电流增 统一规范的实验方法 , 目前国内对于大规模集成电 大 ,就会导致器件的功耗电流增大. 随辐射电离总剂 路的总剂量效应研究尚处于探索阶段.