半金属氧化的磁输运网络效应和复杂性.pdf

半金属氧化物的磁输运网络效应和复杂性 摘要 近年来，半金属氧化物由于重要的理论价值和广泛的应用前景而备受关注。在半 金属氧化物的多晶、冷压缩粉末以及与其他材料的复合物等颗粒体系中，均发现外磁 场导致电阻显著下降这一普遍现象，即外禀磁电阻效应。对于特殊的半金属氧化物一 一钙钛矿结构锰氧化物，自旋、电荷、晶格和／或轨道等多个自由度的同时存在和相 互耦合，以及多种微观作用的共存，使其表现出内禀的多尺度的非均匀性。基于复杂 性，锰氧化物还展现出丰富多彩的多功能性，庞磁电阻效应即是其中之一。对半金属 氧化物的磁输运网络效应和复杂性的研究，不仅在理论上具有重要的学术价值，同时 还在技术和商业层面上有着广阔的应用前景，是材料科学和凝聚态物理研究领域中的 前沿课题。 在半金属氧化物颗粒体系中，颗粒边界的作用至关重要，外禀磁电阻效应与穿越 颗粒边界的自旋输运过程密切相关。在早期研究中，颗粒边界被当作一个理想的绝缘 层，磁电阻被认为起源于电子穿越颗粒边界的隧穿。实际上，颗粒边界本身的性质， 如其中局域态的存在、颗粒边界的磁、电性质等，将导致不同输运机制(直接隧穿、 共振隧穿、相干隧穿、高阶非弹性隧穿和自旋相关的散射等)的出现，直接产生复杂 多变的磁电阻行为。然而，目前已建立的各种理论模型还不能对颗粒间的输运过程作 出全面的描述，对于具有较强无序的颗粒体系，还很难区分出颗粒边界的作用，以致复 杂的磁电阻行为尚未得到清晰透彻的理解。 由于庞磁电阻锰氧化物材料具有内禀的多尺度的非均匀性，因而基于均匀系统的 理论己无法解释锰氧化物的特殊性质。最近认为锰氧化物属于“复杂系统”，是一种 复杂物质，其丰富的物理行为正是复杂性的具体体现，庞磁电阻效应即是由复杂性而 导致的一种多功能性。然而，如何从“复杂性”的角度认识锰氧化物，并能得到哪些 全新的物理概念或／和更加透彻的理解，以及复杂性是如何导致多功能性的，目前并 不清楚。 对于具有较高量值的庞磁电阻(CMR)效应，目前的基本共识是：掺杂锰氧化物 的铁磁／金属相在相变点形成逾渗结构是导致CMR的直接原因。而半金属氧化物颗粒 捅要 半金属氧化物的磁输运网络效应和复杂性 体系，甚至普通铁磁金属颗粒体系，同样会在逾渗阈值附近出现明显的磁电阻增强效 应，并在某些颗粒复合材料中表现出较大的幅值。显然，这种磁电阻的增强并不能单 纯由自旋相关的输运机制导致，也不是半金属氧化物材料的内禀性质，根据它的特点， 它与掺杂锰氧化物的CMR同属一种网络效应——逾渗增强的磁电阻。它的研究具有重 要的应用价值，通过探讨在逾渗结构中产生较大磁电阻的必要条件，可以找到实现可 控性高且幅值较大的磁电阻的新途径、新方法。但是，对于半金属氧化物中这一内禀 和外禀磁电阻的共同点，目前尚无很好的理论解释，更没有将其纳入统一的理论框架 以及针对机制本质的探讨。 本文对半金属氧化物的磁输运网络效应和复杂性的研究主要集中在： 1．颥粒边界磁电阻(GrainBoundaryMagnetoresistance．GB融) 我们对不同半金属氧化物颗粒体系中的磁输运行为进行研究，包括：锰氧化物 晶界结、Fe。04粉末样品和Fe。04／CrO。颗粒复合物。 对于锰氧化物颗粒，考虑到磁无序程度从内部到表面逐渐增强以及能带弯曲效 应，我们创新性地提出一个核一壳模型描述颗粒边界处的非均匀磁性势垒。基于能带 弯曲效应，势垒高度与磁化强度密切相关，因此，由于不同的磁无序程度，颗粒内部 和表面的主导输运机制将存在差异，并且势垒高度将十分敏感于磁场、温度等外界条 件的变化。基于此核一壳模型，我们首次在理论上同时计算出低场磁电阻和高场磁电 阻效应，并全面地解释了高场磁电阻对颗粒表面性质的依赖关系以及低场磁电阻向高 场磁电阻的渡越等复杂实验现象，深刻阐述锰氧化物多晶样品中磁电阻现象的机理。 与多晶样品相比，四氧化三铁的冷压缩粉末具有较为特殊的微观结构，颗粒尺寸 以及势垒厚度均存在较宽的分布(即无序较强)，从而很难清楚地认识颗粒边界对磁 输运的贡献。我们借助阻抗谱分析实验手段，考虑不同粒径颗粒问的主导输运机制(自 旋相关隧穿、高阶非弹性隧穿等)，首次区分出颗粒边界对磁阻抗效应的贡献，为实 验上寻找和设计具有显著交流磁电阻效应的微观结构提供依据。 首次讨论半金属氧化物颗粒复合体系中的逆磁电阻效应。针对四氧化三铁和二氧 化铬颗粒混合而成的复合材料，充分考虑通