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外电场下半体球形量子点中的二次斯塔克效应和极化子效应
外电场下半导体球形量子点中的二次斯塔克效应和
极化子效应
摘 要
本文在有效质量近似下,研究了无限高势垒球形量子点中杂质态
的量子局域二次斯塔克效应以及极化子效应对杂质态结合能的影响.
首先,在有效质量近似下,利用微扰一变分法研究了GaN球形量
子点中类氢杂质态的结合能及其相应的二次斯塔克能移效应,理论导
出了结合能的计算公式.考虑杂质被定域在量子点中心,数值计算了
杂质态结合能随量子点半径和外加电场强度的变化关系.结果表明,
随量子点尺寸和电场强度的增加,杂质态结合能单调降低.而且,相
应的斯塔克能移随量子点半径的增大变得越来越明显.结果还表明,
在同一外电场下,球形量子点中杂质态的斯塔克能移较无杂质时导带
电子的斯塔克能移要小.
随后,计入量子点结构中的局域体纵光学声子模和界面光学声子
模与杂质态的相互作用,采用变分法研究了GaN球形量子点中极化子
效应对杂质态结合能及其相应的斯塔克能移的影响.数值计算结果表
明,极化子效应使得杂质态结合能明显降低,而且削弱了相应的量子
局域斯塔克效应.极化子效应的主要贡献来自于杂质态.LO声子相互
作用.
关键词:斯塔克效应,杂质态,结合能,极化子效应
—————————二.—————————————一
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