旋转涂敷法sod)制备硅基多孔低k薄膜材料的研究.pdf

旋转涂敷法(SOD)制备硅基多孑L低k薄膜材料的研究 中文摘要 旋转涂敷法(SOD)制备硅基多孑L低k薄膜材料的研究 中文摘要 自20世纪90年代以来，超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸按摩尔定律缩小。由于器件 密度和连线密度增加、线宽减小，将导致阻容(厕耦合增大，从而使信号传输延时、干扰噪声增 强和功率耗散增大。未来的超大规模集成电路制造技术必须采用低介电常数(七)材料取代二氧 化硅做层间介质来降低寄生电容，因此低介电常数材料(七4)和超低介电材料(七2)在今后 的超大规模集成电路制造方面将占有重要的地位。本论文采用溶胶～凝胶法并与旋转涂敷工艺 (SoD)相结合制备了硅基多孑L1m介电常数薄膜，系统地研究了制备多孔低介电薄膜的方法，并 详细地分析了所制备薄膜的微结构，化学键和电学性质，得到了一些有价值的新结果。 第一，首先，利用溶胶凝一胶法结合旋转涂敷工艺，制备了多孔低介克(七)的MSQ 做为主要原料，乙醇为溶剂，采用HCI为催化剂在常温下制备出MSQ胶体，然后用旋转涂敷工 制，而本技术具有设备简单，工艺容易控制，掺杂方便等特点。解决了其他制备MSQ薄膜的方 法所带来的困难。其次本文详细地分析了利用D4((八甲基环四硅氧烷)的低沸点和分子密度低的 性质，将其作为致孔剂来制备多孔低介电的MSQ薄膜，并研究了退火温度和氛围对该多孔低介 电薄膜的影响。对退火前后低介电薄膜样品的结构特点和电学性能进行了测试与分析。FTIR分 析结果表明，合适的退火温度为5000C，合适的退火氛围是在氮气的保护下退火，所得到的薄膜 经过退火处理后介电常数可达2．1，在氮气保护下4000C时退火之后的薄膜，它的漏电流密度比 没有加D4的要低一个数量级。 ’ 第二，本文详细地研究了不同气氛下退火处理对另一类硅基低介电薄膜一HSQ 加，而Si—OH基易吸水，所以含有Si-OH键是低介电材料的不利因素。本论文发现了HSQ薄膜 在氮气保护下并且在一定温度下退火可以有效地去除Si．OH基团，从而降低薄膜的介电常数及漏 电流密度。同时又详细地介绍了用D5和D4分别作为致孔剂制备多孔低介电HSQ薄膜的技术， I 中文摘要 旋转涂敷法(SOD)制备硅基多孔低k薄膜材料的研究 分析了该多孔低介电HSQ薄膜的结构变化，以及在不同氛围下退火后介电常数的变化。‘ Si．O在温度的影响下被破坏，从而形成了Si．OH基。加入D4的样品在氮气保护下，温度为‘4000C 时退火1．5小时后，．OH基团和C．H基团的吸收峰强度都有明显的减弱，表明水份和有机成分的 大量流失。也就是说，在氮气的保护下退火可以有效地消减Si．OH基峰的强度。可能消减的原 因可以用下面的脱水反应式来解释： Si-OH+HO-Si=Si·O—Si+H20 加入D4和未加入D4的样品，在不同的氛围下退火处理后其结构变化情况不同。加入D4的 样品，并在氮气保护中，温度为4000C时退火1．5小时后的介电常数最低，加入D4，并且未经过 任何处理的样品，这种薄膜的介电常数最高。加入D4，并在真空中，温度为4000C时退火1．5小 时后，引起了Si—oH基的产生，造成了介电常数的增加。经过氧等离子体处理后的多孔HSQ薄 膜的漏电流密度比未经过处理的多孔HSQ薄膜的漏电流密度几乎高了一个数量级。在电场强度 为1MV／cm时，经过氧气等离子体处理，又在氮气保护下，在3500C时退火1．5小时后的多孔HSQ X10。8 薄膜的漏电流密度是3．0038 A／cm2，几乎是未经过处理的多孔HSQ薄膜的漏电流密度的两 倍。由此可知，薄膜经退火处理之后，其漏电流密度有所改善。 (2)加入D5(十甲基环五硅氧烷)为致孔剂的多孔低介电HSQ薄膜退火处理工艺的分析。 FTIR结构分析表明，在较高温度下有利于维持Si-H基，而Si-H基是构成低介电薄膜的主要基 团。真空退火下出现了Si—oH基，所以真空退火不利于低介电薄膜。在温度为5000C时氮气氛围 下退火1．5小时之后，由于脱水反应，Si_oH基的吸收峰强度很弱，同时由于D5分解的原因， D5分解后在薄膜中产生了孔隙，从而降低薄膜的分子密