有机半导体件的电学性能研究.pdfVIP

摘要 过去的十多年来，半导体器件的材料都以无机半导体材料为主并获得了广泛的应 用。然而就目前而言，以硅为代表的无机半导体电子元器件已微细加工至亚微米、深亚 微米量级，其芯片的技术水准所能达到的集成度已趋向于物理极限。有机半导体材料的 出现，极大地丰富了人们的视野，激发了人们广泛的研究兴趣，已经成为当今的研究热 点之一，有机电子元器件在一些领域中有超越无机元器件的优异特性，如制作工艺简单、 低成本、柔韧性好等优点，有希望实现大规模生产，同时一些用有机材料制作的电子器 件表现了自身特有的电子性能。因此发现和研究有机半导体器件的电学性能是一项十分 必要的工作，有利于推动有机半导体物理器件领域快速向前发展。 本文研究了有机半导体器件的电学特性。内容分为两部分(1)液态有机半导体器 件(2)固态有机半导体器件，在各部分内容中都对器件的制作做了阐述，对其器件的 性能做了研究，并绘出了相应的定性模型。 在制作和研究液态有机器件的过程中，我们采用了极为简单的制作器件的方法，用 有机极性材料苏氨酸的水溶液做器件功能材料，在栅极电场的作用下我们观测通过溶液 的电流有不同种类的振荡现象。我们详细地研究了栅极电压对源漏之间电流随电压变化 的曲线、电流随时间变化的盛线和屯流随电压交化的循环曲线的影响。为了解释器件的 工作机制，我们观测了苏氮酸和去离子水在不同的栅极电压下源漏之间电阻随频率的变 化情况。最后根据器件所表现出来的这些性能提出了用于定性解释器件工作机制的液态 极性偶极子模型。 在制作和研究薄膜态有机半导体器件的过程中，我们使用薄膜晶态有机极性材料嘧 啶醇作为器件的功能材料，使用掩膜蒸镀法制作了长度是20tun、宽度是10mm的电子 沟道。在测量器件的性能时我们发现了不同的三种晶态形貌结构(针状、树枝状和块状)， 在栅极电压的作用下出现不同的IDs--Vm性能曲线，同时出现了三种异常的电流效应， 包括正常的有机场效应晶体管Im--Vm性能曲线，由栅极电压VG控制的电池效应和多 次测量后器件的场效应性能消失。这样的异常电流效应是晶态有机极性薄膜用作有机场 效应器件的电子沟道后所表现出来的一种性能。最后，我们根据器件的性能提出了用于 定性解释器件工作机制的有机极性晶粒模型。 关键词：有机半导体器件，电流振荡，异常电流，极性溶液模型 Abstract deviceis Pastoverten materialofsemiconductor inorganic years，the mostly semiconductormaterialandachievesextensive far application．However,asas，inorganic semiconductorelectronic of insub·microorclose Si，have devices，representativesprocessed itstechnical inclined limit． the levelcanreachhas tO sub-micro,andintegrateddegree physics material of semiconductorenriched view；also Appearance greatlypeople’s inspired organic extensiverese