zncds量子阱cdse量子点复合结构中激子过程的研究.pdfVIP

摘要 摘要 直倍受关注。特别是II—VI族半导体低维结构由于较大的激子束缚能和强的室温 激子效应，使它有希望成为制备室温激子非线性器件和蓝绿光器件的理想候选材 料之一，为此II-vI族半导体量子阱和非对称双量子阱的激子效应己被很深入地 研究。而自组装CdSe量子点与量子阱的复合结构中的激子过程方面的研究近年来 才开始开展。由于其特殊的结构组合，该类结构呈现出不同的性质。 本论文用我们自己建立的泵浦一探测系统研究了CdSe量子点／CdZnSe量予阱结 构的激子隧穿和激子复合过程，以及CdSe量子点中激子与声子的耦合。论文的主 要内容如下： 1． 建立了飞秒时域的单色光与白光泵浦一探测系统。单色光探测波长调谐范围在 350hm一650nm。白光泵浦一探测的泵浦光为400nm。 2． CdZnSe量子阱的激子共振激发条件下激子在量子阱与量子点之问的隧穿。在 ZnSe隔离层厚度lOnm时，阱中的激子寿命为1．8ps。在薄隔离层时，量子阱 与量子点之间的激子转移过程由激子隧穿过程决定。随着隔离层厚度的增加， 激子转移过程的机理发生变化。 3． 子点的LO声子能量分布在215cm一235cm。1范围内。利用变温实验研究了在量 子点与其浸润层中激子与声子耦合现象。发现量子点中的激子一声子耦合强度 与浸润层相比，明显地减弱。而量子点发射峰的线型的非均匀宽化比浸润层 的大近50％。 4． 和变温激子发射谱，研究了激子隧穿过程对量子点和量子阱中激子复合的影 响。并研究了量子阱和量子点中激子辐射跃迁随温度的变化。 关键词：CdSe量子点，CdSe量子点／CdZnSe量子阱结构，泵浦一探测方法，激子 激予隧穿，激子一声子耦合 张立功：博士论文 ZnCdSe量子阱／CdSe量子点中激子过程研究 Abstract LowdimensionalII-VIsemiconductoroneof structureis idealmaterialforexciton nonlineardevicesat and emissiondevicesdueto optical room·-temperature greem-·blue it’s exciton and excitoneffect．Thusthe large bindingenergystrongroom-temperature excitoniceffectsinII—VIsemiconductorwellsand double quantum asymmetric wellshavebeenstudied and studiesonthe quantum deeplywidely．However，the exciton in well structurehave process self-assemblyquantum-dots／quantumcomplex beencarried inrecent novelstructurereveal outjust years．Such peculiarproperties． Inthis femtosecond wasse