掺杂对铁电料srlt;,2gt;bilt;,4gt;tilt;,5gt;olt;,18gt;性能影响的研究.pdfVIP

Cil8性能影响的研究 卢网平：掺杂对铁电材料s‘2B“Tis 摘 要 陶瓷样品的微观结构、铁电和介电性能研究。利用介电损耗峰随掺杂量的变化，研 究了缺陷浓度在掺杂材料中的变化，以此来研究掺杂对铁电性能的影响机制。 采用固相烧结工艺制备了不同气氛下烧结的SBTil8、不同离子半径的镧系元素 w1B位掺杂SBTil8等系列的铁电陶瓷样品。 SBTil8样品的介电损耗随温度的变化曲线上出现一随频率变化的弛豫峰。通过 在不同气氛下烧结，改变样品内部的缺陷浓度。在氧气氛下烧结，样品弛豫峰略有 降低，而氮气氛下烧结，样品的弛豫峰显著提高，表明该弛豫峰可能与材料内部的 氧空位有关。且氧气氛下样品的铁电性能有所提高，而氮气氛下样品的铁电性能则 明显下降。 A位La、Nd掺杂SBTilB材料的介电常数温度谱上的介电峰都随掺杂量的增加 逐渐向低温方向偏移。这是由于与BP离子相比，掺杂离子与周围的O}离子的扫 电子杂化能力较低，导致材料的晶格畸变变小．从而材料的居里温度疋逐渐下降。 ● La、Nd掺杂相比较，离子半径较大的La掺杂使得样品的居里温度下降更为显著。 另外随掺杂量的增加，样品的介电峰都逐渐宽化，这与驰豫铁电机制有关，在La 掺杂量为O．5时，材料出现了弛豫铁电体的典型特征。La掺杂使得材料的剩余极化 (2Pr)和矫顽场(Ec)逐渐减小，而适量的Nd掺杂可以使得材料的剩余极化有所提高。 镧系元素掺杂SB[i18，一方面，掺杂引起品格畸变变小，从而2B下降：另一方面， 较稳定的镧系元素取代稳定性较差的Bi后，氧空位浓度的降低及其动性的下降，使 得材料中畴钉扎减弱，从而2Pr增大。 高。介电结果显示，随x的增加，材料的介电峰逐渐向高温方向偏移，且损耗曲线 上的§嵫峰逐渐消失。因此，材料铁电性能的提高，可能是取代导致晶格畸变变大 扬州大学硕士论文 和缺陷浓度降低两方面的结果。此外，当x达到0．42时，样品中出现杂楣。材料的 居里温度疋随工的增加线性升高，而在x=0．42时，疋偏离线性关系，表明此时过 量的BP离子已经不能全部取代类钙钛矿层中sP离子。 更高化合价阳离子fv5十，Nb5十，w’掺杂SBTil8陶瓷样品，都可以极大地提高 材料的铁电性能。从介电性能随掺杂量的变化趋势可见，三种施主掺杂对材料性能 的影响机制有所不同。V掺杂几乎不影响材料的居里温度，且随掺杂量的增加与畴 界运动相关的P3损耗峰显著下降，而与缺陷弛豫相关的Pl、P2损耗峰几乎没有变化。 SEM照片显示。V掺杂使得晶粒的形状由四方状转变为扁平状，且晶粒尺寸明显增 大。大的晶粒尺寸导致了大的剩余极化。以上结果表明，v掺杂可能只是影响着材 料的晶粒生长、致密度等。Nb、W掺杂使得材料的居罩温度线性下降，且随掺杂量 的增加与缺陷弛豫相关的损耗峰逐渐下降，而P3峰几乎不变，表明Nb、W掺杂通 过化合价中和使得材料中的缺陷浓度降低，从而使得缺陷引起的畴钉扎明显减弱， 因此样品的铁电性能有了明显的提高。 主旦!!垫垒型壁皇塑整!生呈!!j旦!!丝堂堂堕塑婴堑—兰 Abstract onthe ferroelectric madthe Thisthesisfocuses microstmctule，the properties the andB·site dielectric of polycrystalline propertiesundoped，A-sitedoped doped dielectriclossis to thevari