电子温度改对反应粒子及成膜的影响.pdfVIP

摘 要 在PCVD成膜过程中，电子温度是一个重要的参数，它对于在成膜中起关键作用 的反应粒子和基团的产生和变化具有决定性的影响。如果可以通过改变电子温度来对生 长某种类型膜的反应粒子进行优化选择，进而可以对所合成薄膜的各种性质来进行控 制，这在等离子体的工业应用中将具有广阔的前景。 在前人的工作中，研究的焦点主要集中在控制电子温度的有效方法以及电子温度改 变后对电子温度、密度等等离子体参数变化的诊断上，而对于电子温度改变对等离子体 中反应粒子和基团的影响，以及由此产生的所合成膜的影响的研究，工作才刚刚开始。 本论文主要在本实验室自行研制的电子助进化学气相沉积金刚石膜装置(EACVD) 上，对于新的C2H2+H2放电体系，采用掺入惰性气体触气的方法来改变等离子体中的 电子温度(降低)，进而研究不同的时比例(对应于不同的电子温度)对于等离子中 反应粒子和基团的影响，以及由反应粒子和基团变化所导致的对所成薄膜属性的影响。 我们使用了静电双探针、质谱和可见光谱对实验中的等离子体参数以及基底附近粒 子和基团的变化作了研究。结果指出，随着电子温度的降低，等离子体中一个碳成分 CHx随电子温度降低而减少，而二个碳成分c2Hx却呈上升趋势，更加引人注目的是三 个碳成分C3含量的急剧增加。 表面形貌进行了研究。结果指出，在c2H2+H2放电体系中，电子温度是个很重要的过 程参数，它直接影响了等离子体中反应粒子和基团，并影响了所成薄膜的属性；随着电 子温度的降低，所合成的薄膜经历了一系列的相变过程，由晶态的金刚石相逐步转化非 会转变成晶态的石墨相。 扫描电子显微镜的结果也指出，电子温度对所成薄膜的表面形貌也有很大的影响； 随着电子温度的降低，所成的晶粒有明显变小的趋势。在电子温度低到一定的程度的时 候(90％以上的心比例时)，由X．射线衍射分析可以知道，此时的晶粒为纳米石墨晶 体。 Abstract Inthe ofPCVDfilms isavery electron-temperatureimportant process growing，the hasvital onthe and ofactive or influence changing particles parameter．It engendering inthe the rolesonthefilms wecail cluster plasma．whichkey growing．Ifoptimize play in film active orcluster controlling， electron—temperature particles specialgrowingprocessby will filmswe have control ofthe and can the therefore，we properties growaa，it the futurein industry． plasma