聚氧化乙烯面修饰对zno光学性质的改善以及cult;,2gt;oznoito p-i-n异质结结构的制备和物性研究.pdfVIP

摘要 ZnO是一种具有六方结构的宽带隙半导体材料，室温下的禁带宽 度为3．34 eV，激子结合能高达60 meV,是制备紫外光电子器件的优良 材料。白1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来，ZnO研究已 成为紫外发射材料研究的热点。 ZnO的可见发光机制～直是人们研究的热点，但到目前为止，还 没有一’个定论。最近，A．vail Dijken等人提出一个模型认为，ZnO的 可见光发射是由浅陷阱电子和深缺陷空穴复合导致的，表面态在复合 过程中扮演了重要的角色。为了进一步证实A．Van Dijken等人的模型， 本文使用有机分子聚氧化乙烯(PEO)对ZnO纳米粒子进行表面修饰， 研究有机包覆对ZnO光学性质的影响。 我们制备了浓度为0．1M的ZnO纳米粒子的溶胶溶液，并将其与 不同浓度的PEO的水溶液混合，用涂膜机涂在石英衬底上制备成薄膜 材料。制备的薄膜用x射线衍射谱、吸收光谱和光致发光光谱进行表 征。分析结果表明ZnO被PEO修饰后，提高了紫外发射效率，得到了 高质量的纳米薄膜。结合ZnO纳米粒子的可见区的发光机制，我们认 为PEO的有机包覆起到了平衡ZnO表面的悬键，减少结构缺陷的作用， 同时也表明ZnO的可见区发光是与表面态有关的。 通常方法生长的ZnO薄膜多是i1型的，而且由于ZnO材料具有较 强的自补偿效应，很难实现材料的反型，因此不易得到ZnO的同质P．n 结。本文采用电化学沉积法制备了Cu20／ZnO／ITO p-i．11-异质结结构，x． 射线衍射，扫描电子显微镜，透射谱，光致发光谱及电流．电压(I．v) 特性曲线等方法被用来表征该异质结的结构、光学和电学性质。实验 结果表明，用电化学沉积法制备的Cu20／ZnO／ITO p-i-n异质结具有明 显的结的特性。 关键词： 聚氧化乙烯(PEO)表面修饰氧化亚铜(Cu20) CUE0／ZnO／ITO P．i．n异质结 ABSTRACT ZnOfilmisof interest great for short·wavelengthoptoeleetronic becauseZnO semiconductorwithawidebandof3．34 application gap eV has a exciton of60meVatroom large bindingenergy temperature． The of naturethevisibleemissionhasbeen the ofmuch subject mechanism behiridvisible research，however,thethe luminescencehas been difficultto etal a very establish．Recently,A．VanDi