inlt,2gt;olt;,3gt;纳米材料的制备、掺杂及气敏性能研究.pdf

^n¨萝 摘要 Ill203是一种N型半导体气敏材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的 ^ 催化活性等特点，可广泛用于光电领域，如太阳能电池、液晶设备、气体传感器等。因 弋 此，In203纳米材料的研究与开发已成为热门课题。In203纳米材料气体传感器可应用到 A 许多方面，如农业、生物工艺过程，建筑业，环境保护行业等。 本研究采用几种不同方法分别制备出Ill203纳米粉体，利用XRD对产品的物相进行 了分析；用SEM与TEM对粉体晶粒的形貌和粒径进行了观察；研究了不同工作温度、 气体浓度对材料气敏性能的影响。实验结果表明：室温固相合成法、化学共沉淀法和水 热法制备的粉体的形貌为棒状。均匀沉淀法制备的In203气敏元件对C12具有最佳的灵 时间短等特性。 10．6，响应时问为8s，恢复时间为ls。 为了提高IIl203气敏材料的灵敏度，掺杂是一种行之有效的方法。文章采用金属元 对10ppmCl2的灵敏度也可以达到28．5。且具有选择性好，响应一恢复时间短等特性。 10。C低温下， 别达到灵敏度最高。以La(N03)3掺杂为例，当掺杂量为7％时，元件在l 关键词：ha203，表面活性剂，水热法，掺杂 √， ‘ ▲ _。 i k。 妒 ABSTRACT Indium all semiconductorthatshowstawide andalowresistance oxide(In203)isn-type band—gap and nanometermaterials．isan material谢tllexcellent in goodcatalysis．In203