高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值电压与亚阈斜率模型及其器件结构设计.pdfVIP

物 理学 报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．8(2014) 087301 高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值 电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计冰 范敏敏 徐静平十 刘璐 白玉蓉 黄勇 (华中科技大学光学与电子信息学院，武汉 430074) (2013年 10月14日收到；2014年 1月8日收到修改稿) 通过求解沟道与埋氧层的二维泊松方程，同时考虑垂直沟道与埋氧层方 向的二阶效应，建立了高k栅介 质GeOI金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)的阈值电压和亚阈斜率解析模型，研究了器件主要结构参 数对器件阈值特性、亚阈特性、短沟道效应、漏极感应势垒 降低效应及衬偏效应的影响，提出了优化器件性能 的结构参数设计原则及取值范围．模拟结果与TCAD仿真结果符合较好，证实了模型的正确性与实用性． 关键词：GeOIMOSFET，阈值 电压，亚阈斜率，短沟道效应 PACS：73．40．Qv．73．61．一r DOI：10．7498／aps．63．087301 应的阈值 电压公式，但他们采用的是传统的阈值电 1 引 言 压定义方式，而Ortiz—Conde等 1【2]指出这样的定义 在衬底浓度较高时是有误差的．Sim和Kuo[13]考 随着Si互补金属氧化物半导体 fCMOS)器件 虑 了SOI器件前栅沟道与背栅沟道 的形成 以及衬 沟道长度的不断缩小，器件性能的改善越来越达到 底偏置 电压对前后沟道形成的影响，但忽略了短 其物理极限．绝缘硅金属氧化物半导体场效应管 沟道效应；Hu等 [14]利用叠加原理解析求解GeOI fS0IMOSFET)被认为是未来具有较大应用潜力 MOSFET的泊松方程，得到亚阈斜率模型，但结果 的小尺寸金属氧化物半导体 (M0S)器件，但当硅 复杂，不够直观，在器件参数设计时难 以利用此解 膜厚度下降到10nm以下时，载流子迁移率将会大 析公式优化器件性能．这些工作要么只涉及亚阈斜 大下降[1-5]．而锗因为有比硅更高的载流子迁移率 率，要么仅对阈值 电压做分析，均未同时建立阈值 (特别是空穴迁移率)，被认为是替代硅材料的一个 电压与亚阂斜率解析模型． 很好的选择，加上高k栅介质 (如ZrO2和HfO2)的 成功应用，使GeMOS器件具有了可用的栅介质材 因此，本文 以高k栅介质SOI与GeOIM0S— 料，因此，GeOIMOSFET最近几年得到了广泛关 FET为研究对象，通过同时考虑垂直沟道方向和埋 注和研究 [6-8】．不少研究者对SOI与GeOIMOS— 氧层方向的二阶效应，对二维泊松方程进行解析求 FETs的电性能进行了模型分析，Young[9J在研究 解，不仅得到了阈值 电压模型，而且建立 了亚阈斜 SOIMOSFET阈值 电压模型时，提出了一个垂直 率模型．利用此模型对SOI与GeOIMOSFET的 于沟道的二阶势能方程，但未考虑埋氧层的二阶效 电特性进行了分析 比较，讨论了器件主要结构参数 应：Joachim等 1【0j指出对于短沟道 SOI器件埋氧