深亚微米功耗优化简化模型.pdfVIP

第 26 卷 　第 3 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 3 2005 年 3 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Mar . ,2005 深亚微米功耗优化的简化模型 粟雅娟 　魏少军 (清华大学微电子学研究所 , 北京 　100084) 摘要 : 结合 DV S 和 ABB 技术 , 同时调整工作电压 V dd 和衬底偏置电压 Vb s 的方法能有效降低深亚微米功耗. 在解 析方法的基础上提出了已知频率下功耗优化的 V dd ,Vb s 简化模型. 模型中任意频率下对应的优化 V dd , Vb s 值中之一 为常数 ,避免了解析方法中的超越方程求解. 文章进一步对不同电容时简化模型中的参数提出了近似估计方法 μ μ