单电子晶体管与制造技术.pptVIP

单电子晶体管及其制造技术 王 战 内容提要 微电子器件的发展趋势及局限 单电子器件（SET）的发展及前景 SET的基本结构、工作原理及特性 SET的制作技术 问题及前景 微电子器件的发展 从1959年第一块集成电路问世?大规模集成电路?超大规模集成 电路（单位平方毫米上大于一万个门电路）； 1993年 ： 0.35μm技术； 目前水平：0.18μm~0.1μm技术 ， 2010年： 将达到0.07 μm技术， Intel公司的IC发展过程 1971年英特尔公司生产的第一个芯片只含有2300个晶体管； 1997年生产的“奔腾II”芯片集成了2000多万个晶体管； 2000年底推出的“奔腾４”芯片则集成了4200万个晶体管； 2010年，一个芯片上的晶体管数目将超过10亿个 晶体管。 “摩尔定理” 每18至24个月，集成电路芯片内的晶体管数量将翻一番，产品性能将提高一倍，成本将下降一半。 微电子器件的发展的局限 器件散热； 光刻技术及工艺均匀性； 栅氧化层漏电； 大电场下的雪崩击穿； 信号串扰加聚； 到达线宽物理加工极限； 纳米尺度下的宏观量子隧道效应的出现。 局限1--高集成度带来的散热问题 据英特尔公司负责芯片内部设计的首席技术官盖尔欣格预测，如果芯片的耗能和散热问题得不到解决： 到２００５年芯片上集成了２亿个晶体管时