金刚石薄膜快速生长.pdfVIP

摘 要 自从上世纪80年代，化学气相沉积金刚石薄膜技术发明以后，金刚石薄膜 的制备和应用有了很大的进展。由于金刚石良好的导热性和绝缘性，因而是大功 率激光器件、微波器件、高集成电子器件的理想散热材料。由于金刚石是透光波 段最宽和最好的材料，金刚石膜作为光学涂层的应用前景非常好。金刚石膜光学 涂层已经开始实用化，如x射线光刻技术的掩膜，红外光学器件涂层及x射线窗口 等等。金刚石具有最低的介电常数，最高的禁带宽度，极好的电子及空穴迁移率， 因而是制作高可靠性、抗辐射半导体器件的理想材料。 但是由于沉积速率很低，难以沉积大面积，高质量的金刚石薄膜，大大降低 了金刚石薄膜的应用水平。所以如何提高金刚石薄膜的生长速率是当前金剐石研 究的核心问题。本文的目的就是研究金刚石薄膜生长速率和生长条件的关系，寻 找金刚石薄膜快速生长的途径。 本研究采用热丝化学气相沉积(HFcVD)技术在YG8硬质合金(WC．8％ Co)和铜衬底上沉积了金刚石薄膜。通过SEM、Rartlarl散射光谱分析，系统研 究了在不同的衬底温度下，金刚石薄膜在不同衬底上的生长情况，得到了如下结 论： 1)我们在WC和Cu衬底上制备了质量较好的金刚石薄膜。在不能形成碳 化物的材料上制备出金刚石薄膜，说