铑硅混合团几何构型及电子结构性质的理论研究.pdfVIP

摘 要 过渡金属掺杂的硅基团簇作为～种半导体材料的基元，在微电子技术应用和 新材料设计领域中占有着极为重要的地位。本论文主要运用密度泛函方法对第八 、 族4d过渡金属铑掺杂的硅基混合团簇进行了系统的理论研究，一方面研究了中 子团簇的电子结构和激发态性质。 进行了优化，得到了该团簇一系列稳定的几何和电子结构，并在此基础上讨论 了相对最稳定结构的平均束缚能、分裂能、自然布居、HOMO．LUMO能隙、局 域磁性。结果表明，RhSi。(n=1．6)团簇的相对最稳定结构都基本上保持了sin+1团 簇基态构型的框架，这是由于si—si键相互作用比Rh．Si键相互作用强的结果。 通过计算最稳定构型的束缚能和分裂能，研究了RhSi。(n=1．6)N簇的相对稳定性， 发现RhSia是其中热力学结构相对最稳定的团簇。分析RhSi。(n=1．6)团簇的自然 布居，可知电子主要从si原子的3s轨道和Rh原子的5s轨道向Rh原子的4d 较强，这与它的热力学稳定性最强的结果正好吻合。 为了便于实验上的结果相比较，我们同样在(U)B3LYP／mL2Dz水平上 对RhSi．+和RhSi．团簇的结构和电子性质进行了研究。与中性的RhSi。团簇比较， 大部分的RhSi．+和RhSi．-团簇都基本保持了