电磁波重点11.doc

1-8 若标量函数为 试求在点处的梯度。 解 已知梯度，将标量函数(代入得 再将P点的坐标代入，求得标量函数( 在P点处的梯度为 1-15 若C为常数，A及k为常矢量，试证： ① ； ② ； ③ 。 证明 ①证明。 利用公式，则 而 求得 。 ②证明。 利用公式，则 再利用①的结果，则 ③证明。 利用公式，则 再利用①的结果，则 。 1-24 若 试求，及。 解 ①； ； ； ② ； （此处利用了习题26中的公式） ③ ； ； 将矢量的各个坐标分量代入上式，求得 1-25 若矢量，试求，式中V为A所在的区域。 解 在球坐标系中，， 将矢量的坐标分量代入，求得 1-26 试求，式中S为球心位于原点，半径为5的球面。 解 利用高斯定理，，则 2-4 已知真空中两个点电荷的电量均为C，相距为2cm， 如习题图2-4所示。试求：①P点的电位；②将电量为C的点电荷由无限远处缓慢地移至P点时，外力必须作的功。 解 根据叠加原理，点的合成电位为 因此，将电量为的点电荷由无限远处缓慢地移到点，外力必须做的功为 2-10 已知电荷密度为及的两块无限大面电荷分别位于x = 0及x = 1平面，试求及区域中的电场强度。 解 无限大平面电荷产生的场强分布一定是均匀的，其电场方向垂直于无限大平面，且分别指向两侧。因此，位于x = 0平面内的无限大面电荷，在x 0区域中产生的电场强度，在x 0区域中产生的电场强度。位于x = 1平面内的无限大面电荷，在x 1区域中产生的电场强度，在x 1区域中产生的电场强度。 由电场强度法向边界条件获知， 即 由此求得 根据叠加定理，各区域中的电场强度应为 2-19 已知内半径为a，外半径为b的均匀介质球壳的介电常数为，若在球心放置一个电量为q的点电荷，试求：①介质壳内外表面上的束缚电荷；②各区域中的电场强度。 解 先求各区域中的电场强度。根据介质中高斯定理 在区域中，电场强度为 在区域中，电场强度为 在区域中，电场强度为 再求介质壳内外表面上的束缚电荷。 由于，则介质壳内表面上束缚电荷面密度为 外表面上束缚电荷面密度为 2-27 同轴圆柱电容器的内导体 半径为a，外导体半径为b，其 内一半填充介电常数为的介 质，另一半填充介质的介电常 数为，如习题图2-27所示。 当外加电压为V时，试求：①电容器中的电场强度； ②各边界上的电荷密度；③电容及储能。 解 ① 设内导体的外表面上单位长度的电量为，外导体的内表面上单位长度的电量为。取内外导体之间一个同轴的单位长度圆柱面作为高斯面，由高斯定理 求得 已知，在两种介质的分界面上电场强度的切向分量必须连续，即，求得 内外导体之间的电位差为 即单位长度内的电荷量为 故同轴电容器中的电场强度为 由于电场强度在两种介质的分界面上无法向分量，故此边界上的电荷密度为零。 内导体的外表面上的电荷面密度为 ； 外导体的内表面上的电荷面密度为 ； ③单位长度的电容为 电容器中的储能密度为 5-4 已知无限长导体圆柱半径为a，通过的电流为I，且电流均匀分布，试求柱内外的磁感应强度。 解 建立圆柱坐标系，令圆柱的轴线为Z轴。那么，由安培环路定律得知，在圆柱内线积分仅包围的部分电流为，又，则 即 在圆柱外，线积分包围全部电流，那么 即 5-5 已知无限长导体圆柱的半径为a，其内部存在的圆柱空腔半径为b，导体圆柱的轴线与空腔圆柱的轴线之间的间距为c，如习题图5-5（a）所示。若导体中均匀分布的电流密度为，试求空腔中的磁感应强度。 解 柱内空腔可以认为存在一个均匀分布的等值反向电流，抵消了原有的电流而形成的。那么，利用叠加原理和安培环路定律即可求解。已知半径为，电流密度为的载流圆柱在柱内半径r处产生的磁场强度H1为 求得 ，或写为矢量形式 对应的磁感应强度为 同理可得半径为，电流密度为的载流圆柱在柱内产生的磁场强度为 对应的磁感应强度为 上式中的方向及位置如习题图5-5（b）示。因此，空腔内总的磁感应强度为 7-3 已知正弦电磁场的频率为100GHz，试求铜及淡水中位移电流密度与传导电流密度之比。 解 设电场随时间正弦变化，且，则位移电流 ， 其振幅值为 传导电流，振幅为，可见 ； 在海水中，，，则 ； 在铜中，，，则 7-4 设真空中的磁感应强度为 试求空间位移电流密度的瞬时值。 解 由麦克斯韦方程知，而真空中传导电流，则位移电流为 ， 求得 7-12 已知真空中正弦电场的复矢量为 ① 试证电场强度E的等相面为平面；② 试求磁感应强度B、平均储能密度w及复能流密度矢量Sc。 解 ①令空间相