外延层的工艺控制和实际应用.pdf

中文摘要 随着科学技术的发展，要制造更复杂的高频大功率器件，就需要减小 集电极串联电阻，降低导通压降与功耗等因素的影响，因此对芯片基层的 要求越来越严格，外延片是比原始硅片更均匀、表面更完美、具有一定电 学特性的的芯片衬底。因此外延层在实际生产中的地位也就越发重要。在 实际生产中不仅需要对工艺中各项参数进行精确控制，也需要不断对外延 层设备和工艺的进行更新。如何通过控制各项参数，得到高品质的外延层 成为生产中极为重要的研究课题。为了使外延层生产中在可控的范围下得 到符合要求的外延片，论文主要对外延层的作用、性能、工艺过程和工艺 中气流、温度、压力等参数对实际生产中外延层的厚度、均匀度、层错、 缺陷、参杂等因素的影响，以及对外延层设备进行了研究和分析。从而使 我们在可控的情况下制造出更高质量的外延层。本文运用了文献资料分析 法、历史研究方法、理论和实际相结合方法三种分析方法对外延层生长进 行了研究。主要讲述了外延层的相关信息，包括外延层在半导体中的地位 和作用，外延层工艺介绍，外延层设备和外延层在实际生产中某些参数对 外延层的影响。另外列举了两个实际工作中遇到的问题，以及解决方法， 讨论遇到问题后我们解决问题的方向。 关键词：外延层 工艺控制 应用 2 Abstract With the development of science and technology, to crea te more complex high frequency high power devices, you need to decrease the collector series resistance, reduce the conduction voltage drop and the influence of factors such as power consum ption, so the chips of g rass-roots requirements become more stringent, wafer i s more even, more perfect, than the original silicon chip substrate with certain electrical properties. Epitaxial layer pos ition in the actual production will be increasingly im portant. In the actual pr oduction process not only need to precisely cont rol the parameters also ne ed constant updates on equipment and technology for extension of. How to control various parameters, are in the production of high-quality epitaxial la yer to beco me extremely important issues. In order to make production of epit axial layer ca