ZnO薄膜与性能及研究进展.pdfVIP

第16卷第3期 无机材料学报 Vol16．No3 2001年5月 Journalof Materials Inorganic May,2001 文章编号：i000-324X(2001)03-0391—07 ZnO薄膜及其性能研究进展 黄焱球，刘梅冬，曾亦可，刘少波 (华中科技大学电子科学与技术系，武汉430074) 摘 要：ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，在透明导体、发 光元件、太阳能电池窗El材料、光波导器、单色场发射显示器材料、高额压电转换器、表面声 波元件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途．ZnO薄膜的制备方法多样， 各具优缺点，而薄膜性质的差异则取决于不同的掺杂组分，并与制备工艺紧密相关．本文综述 了ZnO薄膜的制备及性质特征，并对其发展趋势及前景进行了探讨． 关蕾词：zn0薄膜I制备i性质；发展前景 中围分类号：O484 文献标识码：A 1引言 ZnO薄膜是一种具有广泛用途的材料，其性质随掺杂组分和制备条件的不同而表现出 很大的差异性．目前对ZnO薄膜的研究主要集中在透明导电性、压电性、光电性、气敏性、 压敏性等方面．通过各种制备工艺和组分配比，在制备具有优良压电性能的ZnO薄膜、具 有良好光电性能的透明ZnO薄膜以及具有良好气敏性能的ZnO薄膜传感器材料的研究已 取得了很大进展，在诸多领域得到了很好的应用．对ZnO薄膜的压敏性质的研究也取得了 突破，显示了其在低压压敏电阻器方面应用的潜力．本文对ZnO薄膜的制备，性能及其应 用研究进行了综述，并对该材料的发展趋势进行了探讨． 2 ZnO薄膜的制备方法 ZnO薄膜的制备方法较多，主要有：射频溅射法、双离子束溅射沉积法、化学气相沉积 法、分子束蒸发沉积、脉冲激光沉积、喷雾热分解法以及溶胶-凝胶法等． 2．1射频溅射法Ih8】 本法是以zn或ZnO为靶，在02或02／Ar气氛下，利用射额或磁控射频溅射，将ZnO 沉积到基片上的方法．其工艺条件不同，沉积速率会有所差异(表1)．本法的特点是可快速 制备出一定厚度的ZnO薄膜，但不易进行掺杂．可利用不同成分的靶进行溅射，制取ZnO 与其它物质的复合薄膜，以获取具有特殊性质的薄膜．如Y．Suzuoki等在ZnO薄膜上再 收稿日期t2000-05_08，啦到任鼓稿日期：2000-06—26 作者简升t黄盛球(1964一)，男，博士研究生，一教授 万方数据 392 无机材料学报 16卷 高，其对生长中的薄膜会造成某种损害，可能最终影响薄膜某方面性质，如利用溅射法制 备ZnO薄膜场发射显示器材料时，因溅射损伤，会降低显示质量【Ⅷ． 表1射频溅射法制备ZnO薄膜的不同工艺条件及作者 Table1Different conditionsof thin ZnO tPdmsandtheauthors preparation r．f．一sputtered Zn 2：9 100—300 Si etal Os／Ar N．K．Zayer Zn 50W 3：7 350 5．8 W．TLimeta1． 02／hr Ru／SiAl／Sl et Zn0 400W 3：7 20 Glass 2．5 EDumontal