《变频器和ML2》.pptVIP

变频器和ML2 一.晶体管的有关概念 二.变频器的基本结构及各部分的功能 三.整流 四.逆变 五.ML2及其特点 一.晶体管的有关概念 1.晶体管简介 晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，谷称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。 ? ?  晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 2.晶体管的种类 （一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。（二）按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。 （三）按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。 （四）按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。（五）按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。 下图显示为晶体管的外形 下图为各种晶体管的符号 4.晶体管的重要参数 a.断态重复峰值电压UDRM UDRM是门极断路而器件的温度为而定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压.规定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值电压UDRM的90%. 晶体管必须能够重复经受一定限度的操作过电压.这就是重复峰值电压这一参数的意义. b.断态重复峰值电压URRM URRM是门极断路而器件的温度为而定值时,允许重复加在器件上的反向峰值电压.规定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值电压URRM的90%. 一般,晶闸管若受到反向电压的作用,它一定是阻断的.因此参数名称中,可以省去阻断二字. 晶闸管的额定电压,通常把UDRM和URRM中较小的值标作该器件的额定电压. c.通态平均电流IT(AV) IT(AV)在环境温度为+40oC 和规定的冷却条件下.带电阻的单相工频正弦半波电路中,管子全导通(导通角不小于170o)而稳定结温度不超过额定值时所允许的最大平均电流.按照标准,取其整数作为该器件的额定电流. d.额定结温Tjm 器件在正常工作时所允许的最高结温,在此温度下,一切有关的额定值和特性都能得到保证. e.断态电压临界上升率du/dt du/dt是在额定结温和门极开路的情况下,不导致从断态到通态转换和最大主电压上升率.使用中实际电压上升率必须低于此临界值. 如果du/dt过大,使充电电流足够大,就会使晶闸管误导通. f.通态电流临界上升率di/dt di/dt是在规定条件下,晶闸管能承受且无有害的最大通态电流上升率. 如果主电流上升太快,则晶闸管刚一开通时,会有很大的电流集中在门极附近的小区域内,从而造成局部过热而使晶闸管损坏. 5.IGBT和IGCT a.IGBT IGBT (绝 缘 栅 双 极 型 晶 体 管 )是 功 率 M O SFET 技 术 的 派 生 器 件 。它 结 合 了 双 极 结 型 晶体 管 (BJT )的 低 导 通 损 耗 和 功 率 MOSFET 的 高 开 关 速 度 的特 点 ，是 一 种 电 压 控 制 型器件 。 与 晶 闸 管相 比 ，IGBT速 度 更 快 ，dv／dt抗 干扰 和 栅 极 关 断 能 力更 好 。当 某 些 晶 闸 管例 如 GTO 由 门 极 关 断 时 ，要 求有 反 向 门 极 电流 ，而 IGBT 关 断 时 ，唯 一 要 求 的 是 栅 极 电容 放 电 。象 M OSFET 一样 ， IGBT 是 跨 导 器件 ，只 要 保 持 栅 极 电压 在 闽值 电压 电 位 以上 ，便 能 维 持 IGBT 的 充 分 导 通 状 态 。 在 故 障 情 况 下 ，IGBT表 现 了 可 靠 耐 用 的 特 性 。当 器件 处 于 端 子 短 路 或 接 地 状 态 时 ，短 路 电流 约 达 额 定 电 流 的 l0 倍 ，且 这 一 短 路 电 流 可 持 续 数 微 秒 。