半导体工艺讲 掩模和光刻.pdfVIP

半导体工艺讲解(1)--掩模和光刻 （上） 概述 光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上 的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成 本约为整个硅片制造工艺的 1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的 40～60%。 光刻机是生产线上最贵的机台，5～15 百万美元/台。主要是贵在成像系统 （由 15～20 个直 径为 200～300mm 的透镜组成）和定位系统 （定位精度小于 10nm）。其折旧速度非常快，大约 3～9 万人民币/天，所以也称之为印钞机。光 刻部分的主 要机台包括两部分：轨道机 （Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光 机 （Scanning ) 光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性； 准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。 光刻工艺过程 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、 对准曝光、后烘、显影、硬烘、