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保护电路设计方法 - 过电压保护 2.过电压保护 ⑴ 过电压的产生及抑制方法 ① 过电压产生的原因 ??? 对于IGBT开关速度较高，IGBT关断时及FWD逆向恢复时，产生很高的di/dt，由于模块周围的接线的电感，就产生了L di/dt电压（关断浪涌电压）。 ??? 这里，以IGBT关断时的电压波形为例，介绍产生原因和抑制方法，以具体电路（均适用IGBT/FWD）为例加以说明。 ??? 为了能观测关断浪涌电压的简单电路的图6中，以斩波电路为例，在图7中示出了IGBT关断时的动作波形。 ??? 关断浪涌电压，因IGBT关断时，主电路电流急剧变化，在主电路分布电感上，就会产生较高的电压。关断浪涌电压的峰值可用下式求出： VCESP=Ed＋(-L dIc/dt) 式中dlc/dt为关断时的集电极电流变化率的最大值； ? VCESP为超过IGBT的C-E间耐压(VCES)以至损坏时的电压值。 ②过电压抑制方法 ??? 作为过电压产生主要因素的关断浪涌电压的抑制方法有如下几种： 在IGBT中装有保护电路（=缓冲电路）可吸浪涌电压。缓冲电路的电容，采用薄膜电容，并靠近 IGBT配置，可使高频浪涌电压旁路。 调整IGBT的驱动电路的VCE或RC，使di/dt最小。 尽量将电件电容靠近IGBT安装，以减小分布电感，采用低阻抗型的电容效果更佳。 为降低主电路及缓冲电路的分布电感，接线越短